VBsemi 18N60M2-VB TO220 MOSFET產品簡介：
VBsemi的18N60M2-VB TO220是一款TO220封裝的單通道N溝道MOSFET。該產品具有650V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS，±V），3.5V的閾值電壓（Vth），220mΩ的導通電阻（RDS(ON)）@VGS=10V，以及15A的漏極電流（ID）。采用SJ_Multi-EPI技術。
18N60M2-VB TO220詳細參數(shù)說明：
- 封裝：TO220
- 類型：單通道N溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：650V
- VGS（柵極-源極電壓）：30V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導通電阻（RDS(ON)）：220mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：15A
- 技術：SJ_Multi-EPI
這款MOSFET適用于一系列高壓、高效率的功率開關應用，如電源適配器、UPS、電源管理、照明等領域。
