--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
VBsemi的18N6L-VB是一款單N溝道場效應(yīng)管(MOSFET),具有60V的漏極-源極電壓(VDS)和20V的門極-源極電壓(VGS)。該器件采用Trench技術(shù)制造,具有優(yōu)異的性能和可靠性。它的漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為30mΩ(在VGS=4.5V時)和25mΩ(在VGS=10V時),最大漏極電流(ID)為45A。這使得18N6L-VB非常適合低壓應(yīng)用,如電源管理、電機驅(qū)動器和其他需要高性能MOSFET的領(lǐng)域。
### 詳細參數(shù)說明
- **Package**:TO252
- **Configuration**:Single-N-Channel
- **VDS**:60V
- **VGS**:20V(±)
- **Vth**:1.7V
- **RDS(ON)**:30mΩ @ VGS=4.5V;25mΩ @ VGS=10V
- **ID**:45A
- **Technology**:Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊示例
18N6L-VB適用于各種低壓、高性能MOSFET的應(yīng)用,包括但不限于:
1. **電源管理**:18N6L-VB的低漏極-源極電壓和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于開關(guān)電源、電源逆變器和電源轉(zhuǎn)換器等低壓電源管理系統(tǒng)中。
2. **電機驅(qū)動器**:18N6L-VB可用于電動汽車、工業(yè)機械和家用電器等領(lǐng)域的低壓電機驅(qū)動器,其能夠提供高效率和可靠性。
3. **照明應(yīng)用**:由于其低漏極-源極電壓和低導(dǎo)通電阻,18N6L-VB適用于LED照明驅(qū)動器和其他低壓照明應(yīng)用。
4. **消費電子**:在需要高性能、低壓MOSFET的消費電子產(chǎn)品中,18N6L-VB可以用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器等模塊。
5. **電池管理**:18N6L-VB也可以用于電池管理系統(tǒng)中,以實現(xiàn)對電池的高效充放電控制。
總之,18N6L-VB是一款功能強大、可靠性高的低壓MOSFET,適用于各種低壓應(yīng)用領(lǐng)域和模塊。
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