--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 260N6F6-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
260N6F6-VB 是一款單 N-溝道 MOSFET,采用 Trench 技術(shù),封裝形式為 TO220。具有較低的導(dǎo)通電阻和高漏極電流承載能力,適用于需要高效能量轉(zhuǎn)換和電流控制的應(yīng)用。
### 260N6F6-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單 N-溝道
- **VDS**: 80V
- **VGS**: ±20V
- **Vth (閾值電壓)**: 3V
- **RDS(ON)**: 3.6mΩ @ VGS = 4.5V, 3mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏極電流)**: 195A
- **技術(shù)**: Trench

### 260N6F6-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理**
- **高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器**: 260N6F6-VB 可用于高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān),實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換。
2. **電動(dòng)工具**
- **高功率電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)**: 在高功率電動(dòng)工具中,260N6F6-VB 可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和驅(qū)動(dòng)控制。
3. **電動(dòng)車輛**
- **電動(dòng)車輛控制器**: 在電動(dòng)車輛控制系統(tǒng)中,260N6F6-VB 可用于電機(jī)控制器,實(shí)現(xiàn)對(duì)電動(dòng)車輛驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的高效控制。
4. **工業(yè)自動(dòng)化**
- **高功率電機(jī)控制**: 在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,260N6F6-VB 可用于高功率電機(jī)控制系統(tǒng),提供高效的電能轉(zhuǎn)換和驅(qū)動(dòng)控制。
5. **電源適配器**
- **高功率開關(guān)電源適配器**: 在高功率開關(guān)電源適配器中,260N6F6-VB 可用作開關(guān)管,實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電壓的高效控制和調(diào)節(jié)。
260N6F6-VB 在高功率電源管理、電動(dòng)工具、電動(dòng)車輛、工業(yè)自動(dòng)化和高功率電源適配器等領(lǐng)域展現(xiàn)了其高效能量轉(zhuǎn)換和電流控制的優(yōu)勢(shì),為各種高功率電子設(shè)備和系統(tǒng)提供了可靠的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛