--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 N+N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、2626GY-VB 產(chǎn)品簡介
2626GY-VB 是一款雙N+N溝道MOSFET,封裝形式為SOT23-6,采用了Trench技術(shù),具有較低的漏源極電壓(20V)和適中的電流(6A)處理能力。該器件在2.5V和4.5V柵極驅(qū)動電壓下分別具有28mΩ和22mΩ的導(dǎo)通電阻,適用于低功率、低電壓的應(yīng)用場合,如電池管理、移動設(shè)備等,具有低導(dǎo)通電阻和高效能量轉(zhuǎn)換的特點。
### 二、2626GY-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝形式**:SOT23-6
- **配置**:雙N+N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:20V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±12V
- **閾值電壓 (Vth)**:0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:28mΩ @VGS = 2.5V, 22mΩ @VGS = 4.5V
- **漏極電流 (ID)**:6A
- **技術(shù)**:Trench

### 三、2626GY-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電池管理**:
- **應(yīng)用說明**:2626GY-VB 可以用于低功率、低電壓的電池管理系統(tǒng),提供低導(dǎo)通電阻和高效能量轉(zhuǎn)換。
- **實例**:適用于便攜式設(shè)備、智能手表等的電池管理模塊。
2. **移動設(shè)備**:
- **應(yīng)用說明**:在移動設(shè)備中,2626GY-VB 可以提供穩(wěn)定的電流輸出和高效能量轉(zhuǎn)換,延長電池續(xù)航時間。
- **實例**:適用于智能手機、平板電腦等移動設(shè)備的電源管理模塊。
3. **LED驅(qū)動**:
- **應(yīng)用說明**:2626GY-VB 可以用作LED驅(qū)動器件,提供穩(wěn)定的電流輸出和高效的能量轉(zhuǎn)換。
- **實例**:適用于小功率LED燈具、指示燈等的驅(qū)動模塊。
這些應(yīng)用示例展示了2626GY-VB 在低功率、低電壓應(yīng)用中的廣泛適用性和優(yōu)越性能,能夠滿足多種電池管理、移動設(shè)備和LED驅(qū)動等領(lǐng)域的需求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12