91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

264P-VB一款P-Channel溝道TSSOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 264P-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TSSOP8封裝
  • 溝道 P-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### VBsemi 264P-VB MOSFET 產(chǎn)品概述

VBsemi 264P-VB 是一款高性能的單 P-通道 MOSFET,設(shè)計用于各種功率管理應(yīng)用。該 MOSFET 封裝在緊湊的 TSSOP8 封裝中,適用于空間受限制的設(shè)計。它采用先進的溝槽技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,可增強功率開關(guān)應(yīng)用的效率。

### 詳細(xì)規(guī)格

- **封裝:** TSSOP8
- **配置:** 單 P-通道
- **VDS(漏極-源極電壓):** -30V
- **VGS(柵極-源極電壓):** ±20V
- **Vth(柵極閾值電壓):** -1.7V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻):**
 - 20mΩ @ VGS = 4.5V
 - 16mΩ @ VGS = 10V
- **ID(連續(xù)漏極電流):** -9A
- **技術(shù):** 溝槽

### 應(yīng)用和用例

VBsemi 264P-VB MOSFET 適用于各種領(lǐng)域和模塊:

1. **功率管理系統(tǒng):**
  - **DC-DC 變換器:** 低 RDS(ON) 和高電流承載能力使其非常適合于高效的功率轉(zhuǎn)換。
  - **電池管理:** 由于其低柵極閾值電壓和高效率,適用于電池供電設(shè)備中的開關(guān)和保護電路。

2. **消費電子:**
  - **智能手機和平板電腦:** 用于電源調(diào)節(jié)電路,以提高電池壽命和性能。
  - **筆記本電腦:** 有助于實現(xiàn)高效的電源分配和熱管理。

3. **汽車應(yīng)用:**
  - **電動汽車(EV):** 用于電力控制單元和電池管理系統(tǒng),以確保高效的能源利用和安全性。
  - **信息娛樂系統(tǒng):** 用于管理向各種電子組件供電。

4. **工業(yè)設(shè)備:**
  - **機器人技術(shù):** 在電機控制器和其他機器人功率系統(tǒng)中提供可靠的開關(guān)。
  - **自動化系統(tǒng):** 確保自動化機械中的高效電源分配和控制。

5. **通信系統(tǒng):**
  - **基站:** 在射頻功率放大器和其他通信基礎(chǔ)設(shè)施組件中增強功率效率。
  - **網(wǎng)絡(luò)設(shè)備:** 用于路由器和交換機,以實現(xiàn)高效的電源處理。

VBsemi 264P-VB MOSFET 的穩(wěn)健性能、低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其成為一款多功能組件,適用于各種行業(yè)中廣泛的功率管理和控制應(yīng)用。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    542瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    466瀏覽量