91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

2732GK-VB一款N-Channel溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 2732GK-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT223封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**2732GK-VB**是一款單N溝道MOSFET,由VBsemi生產(chǎn),采用SOT223封裝。這款MOSFET具有30V的漏源電壓(VDS)和20V(±)的柵源電壓(VGS)。其開啟閾值電壓(Vth)為1.7V,導通電阻(RDS(ON))在柵源電壓為4.5V時為21mΩ,在柵源電壓為10V時為19mΩ,最大漏極電流(ID)為7A。采用Trench技術,適用于各種低壓高頻應用場景。

### 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)                | 規(guī)格                    |
|--------------------|------------------------|
| 封裝類型            | SOT223                 |
| 配置                | 單N溝道                |
| 漏源電壓(VDS)     | 30V                    |
| 柵源電壓(VGS)     | 20V(±)                |
| 開啟閾值電壓(Vth) | 1.7V                   |
| 導通電阻(RDS(ON)) | 21mΩ@VGS=4.5V, 19mΩ@10V|
| 最大漏極電流(ID)  | 7A                     |
| 技術                | Trench                 

### 應用領域和模塊

1. **電源管理模塊**:2732GK-VB MOSFET適用于低壓高頻開關電源(SMPS)、充電器和適配器等模塊。其低導通電阻和高頻響應特性使其在這些應用中能夠提供高效的功率轉換和穩(wěn)定的電源輸出。

2. **馬達驅動**:在低壓馬達驅動應用中,如電動工具、電動車輛和家用電器中,2732GK-VB MOSFET的低導通電阻和高電流能力使其成為理想的馬達開關元件。它能夠提供高效的馬達控制和驅動。

3. **LED照明**:在低壓LED照明系統(tǒng)中,2732GK-VB MOSFET用作LED驅動器的開關元件。其高速開關特性和低導通電阻確保LED燈具具有高效率和穩(wěn)定的光輸出。

4. **手機充電管理**:在手機充電管理電路中,2732GK-VB MOSFET用于充電控制和功率轉換。其小尺寸和高效率使其成為手機充電器和移動電源中的理想選擇。

5. **醫(yī)療設備**:在各種醫(yī)療設備中,如監(jiān)護儀、醫(yī)用成像設備和治療設備中,2732GK-VB MOSFET用于電源管理和控制。其高可靠性和穩(wěn)定性確保設備的安全和可靠運行。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    542瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    466瀏覽量