--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**2N03L13-VB**是一款單N溝道MOSFET,由VBsemi生產(chǎn),采用TO263封裝。這款MOSFET具有30V的漏源電壓(VDS)和20V(±)的柵源電壓(VGS)。其開啟閾值電壓(Vth)為1.7V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在柵源電壓為4.5V時(shí)為18mΩ,在柵源電壓為10V時(shí)為12mΩ,最大漏極電流(ID)為50A。采用Trench技術(shù),適用于各種高功率應(yīng)用場(chǎng)景。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 規(guī)格 |
|--------------------|----------------------|
| 封裝類型 | TO263 |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源電壓(VDS) | 30V |
| 柵源電壓(VGS) | 20V(±) |
| 開啟閾值電壓(Vth) | 1.7V |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) | 18mΩ@VGS=4.5V, 12mΩ@10V |
| 最大漏極電流(ID) | 50A |
| 技術(shù) | Trench |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **電源模塊**:2N03L13-VB MOSFET適用于各種電源模塊,如開關(guān)電源(SMPS)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和充電器。其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流能力使其能夠提供高效率的功率轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,如電動(dòng)工具、電動(dòng)車輛和家用電器中,2N03L13-VB MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其成為理想的馬達(dá)開關(guān)元件。它能夠提供高效的馬達(dá)控制和驅(qū)動(dòng)。
3. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,2N03L13-VB MOSFET可以用于電動(dòng)汽車的電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、充電樁和車載電源管理。其高電流和高效率使其能夠滿足汽車電子系統(tǒng)對(duì)功率密度和效率的要求。
4. **工業(yè)控制**:在工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用于各種高功率開關(guān)應(yīng)用,如變頻器、UPS和工業(yè)電源。其高電流和低導(dǎo)通電阻能力使其適用于各種高功率工業(yè)設(shè)備。
5. **LED照明**:在LED照明和其他高效照明系統(tǒng)中,這款MOSFET被用來調(diào)節(jié)電流和控制亮度,確保系統(tǒng)的高效和穩(wěn)定運(yùn)行。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛