### 產(chǎn)品簡介

**2N65L-TM3-T-VB**是一款單N溝道MOSFET，由VBsemi生產(chǎn)，采用TO251封裝。這款MOSFET具有650V的漏源電壓（VDS）和30V（±）的柵源電壓（VGS）。其開啟閾值電壓（Vth）為3.5V，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為10V時為4300mΩ，最大漏極電流（ID）為2A。采用Plannar技術(shù)，適用于低功率應(yīng)用場景。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)                | 規(guī)格                    |
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| 封裝類型            | TO251                  |
| 配置                | 單N溝道                |
| 漏源電壓（VDS）     | 650V                   |
| 柵源電壓（VGS）     | 30V（±）               |
| 開啟閾值電壓（Vth） | 3.5V                   |
| 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)） | 4300mΩ@VGS=10V         |
| 最大漏極電流（ID）  | 2A                     |
| 技術(shù)                | Plannar                |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **電源管理**：2N65L-TM3-T-VB MOSFET適用于低功率電源管理，如低功率逆變器、電源適配器等。其低導(dǎo)通電阻和適中的漏源電壓使其能夠提供高效的電能轉(zhuǎn)換。

2. **LED照明驅(qū)動**：在LED照明驅(qū)動電路中，這款MOSFET可以用來控制LED燈條、LED燈泡等的亮度和開關(guān)。其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻特性使其能夠提供穩(wěn)定的驅(qū)動電流。

3. **電動汽車充電樁**：在電動汽車充電樁中，2N65L-TM3-T-VB MOSFET用于直流充電樁的功率轉(zhuǎn)換和控制。其高壓和低功率特性確保了充電過程的高效率和穩(wěn)定性。