### 產品簡介

**2N7002BKT-VB**是一款單N溝道MOSFET，由VBsemi生產，采用SC75-3封裝。這款MOSFET具有60V的漏源電壓（VDS）和20V（±）的柵源電壓（VGS）。其開啟閾值電壓（Vth）為1.7V，導通電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為4.5V時為2000mΩ，在柵源電壓為10V時為1200mΩ，最大漏極電流（ID）為0.33A。采用Trench技術，適用于低功率應用場景。

### 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)                | 規(guī)格                    |
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| 封裝類型            | SC75-3                 |
| 配置                | 單N溝道                |
| 漏源電壓（VDS）     | 60V                    |
| 柵源電壓（VGS）     | 20V（±）                |
| 開啟閾值電壓（Vth） | 1.7V                   |
| 導通電阻（RDS(ON)） | 2000mΩ@VGS=4.5V, 1200mΩ@10V |
| 最大漏極電流（ID）  | 0.33A                  |
| 技術                | Trench                 |

### 應用領域和模塊

1. **模擬開關**：2N7002BKT-VB MOSFET適用于各種模擬開關應用，如音頻信號開關、視頻信號開關等。其低導通電阻和低開啟閾值電壓使其能夠提供高品質的信號傳輸。

2. **電源管理**：在低功率電源管理電路中，這款MOSFET可以用作開關元件，如DC-DC轉換器和穩(wěn)壓器。其高可靠性和穩(wěn)定性使其成為電源管理領域的理想選擇。

3. **傳感器接口**：在各種傳感器接口電路中，2N7002BKT-VB MOSFET可以用來控制傳感器的供電和信號傳輸。其低功率特性和可靠性使其能夠滿足傳感器接口電路對功耗和穩(wěn)定性的要求。