--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8封裝
- 溝道 P-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**型號(hào):2SJ421-VB**
2SJ421-VB 是一款單P溝道MOSFET,采用SOP8封裝,具備高性能和可靠性。其采用槽溝道(Trench)技術(shù),結(jié)合了高導(dǎo)通電流和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),適用于中功率應(yīng)用。
### 產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)
- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 56mΩ @ VGS = 4.5V
- 33mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: -5.8A
- **技術(shù)類型**: 槽溝道(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊
2SJ421-VB MOSFET 在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用。以下是一些示例:
1. **電源管理模塊**: 由于其高導(dǎo)通電流和低導(dǎo)通電阻特性,該MOSFET適用于中功率的開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)。它能夠有效地處理中功率,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和分配。
2. **汽車電子**: 在汽車電子系統(tǒng)中,MOSFET需要能夠承受汽車電氣系統(tǒng)的高壓和高溫環(huán)境。2SJ421-VB 的特性使其適用于汽車的點(diǎn)火系統(tǒng)、電池管理、動(dòng)力轉(zhuǎn)換和驅(qū)動(dòng)控制等應(yīng)用。
3. **LED照明**: 由于其低導(dǎo)通電阻和高導(dǎo)通電流特性,2SJ421-VB 可以用于中功率LED驅(qū)動(dòng)器和照明控制系統(tǒng),提供穩(wěn)定的電源和高效的能量轉(zhuǎn)換。
4. **工業(yè)控制系統(tǒng)**: 在需要耐高壓的工業(yè)控制系統(tǒng)中,2SJ421-VB MOSFET 可以用于各種高壓電路,如變頻器、機(jī)器人控制系統(tǒng)和工廠自動(dòng)化設(shè)備中,以提高系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性。
通過結(jié)合高導(dǎo)通電流、低導(dǎo)通電阻和槽溝道技術(shù),2SJ421-VB MOSFET 是中功率應(yīng)用的理想選擇。其可靠性和性能使其在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中得到廣泛應(yīng)用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛