--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SC70-3封裝
- 溝道 P-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
VBsemi 2SJ463A-T1-A-VB 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,采用 SC70-3 封裝。其采用了先進(jìn)的 Trench 技術(shù),具有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻和可靠性。這款 MOSFET 適用于各種需要中功率和中穩(wěn)定性的應(yīng)用場(chǎng)合。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: 2SJ463A-T1-A-VB
- **封裝**: SC70-3
- **配置**: 單一 P 通道
- **漏源極電壓 (VDS)**: -20V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: -0.6V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 100mΩ @ VGS = 2.5V
- 80mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏極電流 (ID)**: -3.1A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **電源管理**
- 2SJ463A-T1-A-VB 可以用于中功率開(kāi)關(guān)電源、逆變器等。其中等導(dǎo)通電阻和漏極電流能力適用于中功率系統(tǒng)。
2. **電池管理**
- 適用于便攜式電子設(shè)備的電池管理系統(tǒng),如智能手機(jī)、平板電腦等。其低閾值電壓和中等漏極電流能夠滿(mǎn)足這類(lèi)設(shè)備的需求。
3. **汽車(chē)電子**
- 在汽車(chē)電子系統(tǒng)中,2SJ463A-T1-A-VB 可以用于燈光控制、電動(dòng)窗控制等中功率電子模塊中。
4. **消費(fèi)類(lèi)電子**
- 適用于一些中功率消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品,如音響設(shè)備、游戲機(jī)等。
5. **工業(yè)控制**
- 在需要中功率和中穩(wěn)定性的工業(yè)控制系統(tǒng)中,2SJ463A-T1-A-VB 可以用于控制電路、驅(qū)動(dòng)電路等模塊中。
VBsemi 2SJ463A-T1-A-VB 具有中等功率處理能力和穩(wěn)定性,在多種應(yīng)用中都能提供可靠的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛