--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 P-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**產(chǎn)品型號:2SJ683-VB**
**封裝類型:TO263**
**配置:單一P溝道**
**技術:Trench**
**主要特點:**
- **VDS(漏源電壓):** -60V
- **VGS(柵源電壓):** ±20V
- **Vth(閾值電壓):** -3V
- **RDS(ON)(導通電阻):** 8.5mΩ@VGS=4.5V;6.5mΩ@VGS=10V
- **ID(漏極電流):** -110A
2SJ683-VB是一款高性能P溝道MOSFET,適用于高功率、高效率的開關電源和馬達控制應用。
### 參數(shù)說明
1. **基本參數(shù):**
- **型號:** 2SJ683-VB
- **封裝類型:** TO263
- **配置:** 單一P溝道
- **技術:** Trench
2. **電氣特性:**
- **漏源電壓 (VDS):** -60V
- **柵源電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** -3V
3. **導通電阻 (RDS(ON)):**
- **@ VGS=4.5V:** 8.5mΩ
- **@ VGS=10V:** 6.5mΩ
4. **漏極電流 (ID):** -110A
5. **其他特性:**
- **最大耗散功率:** 300W
- **工作溫度范圍:** -55°C 至 150°C

### 應用領域和模塊
1. **高功率開關電源:**
由于2SJ683-VB具有低導通電阻和高漏極電流承載能力,適用于需要高功率密度和高效率的開關電源設計。
2. **電動汽車驅(qū)動:**
在電動汽車的電機控制系統(tǒng)中,這款MOSFET可用于功率開關,提供高效的電流控制和管理,從而提高電動汽車的性能和能效。
3. **工業(yè)馬達控制:**
用于工業(yè)馬達控制系統(tǒng)中的功率開關,能夠承受高電壓和電流,確保系統(tǒng)的高效率和可靠性。
4. **UPS電源:**
在UPS(不間斷電源)系統(tǒng)中,2SJ683-VB可用于功率開關,確保UPS系統(tǒng)在停電時能夠提供穩(wěn)定的電力輸出。
綜上所述,2SJ683-VB是一款高性能的P溝道MOSFET,適用于各種高功率、高效率的電源和馬達控制應用,是許多工業(yè)和汽車電子系統(tǒng)中的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12