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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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2SK1259-VB一種N-Channel溝道TO3P封裝MOS管

型號: 2SK1259-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO3P封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、2SK1259-VB 產(chǎn)品簡介

2SK1259-VB 是一款單一 N 通道 MOSFET,封裝形式為 TO3P。該型號采用 Trench 技術(shù)制造,具有較高的漏源電壓和極低的導(dǎo)通電阻,適用于高功率電路設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為 60V,最大柵源電壓(VGS)為 ±20V,閾值電壓(Vth)為 2.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS=10V 時為 5.4mΩ,最大漏極電流(ID)為 150A。

### 二、2SK1259-VB 詳細參數(shù)說明

- **型號**:2SK1259-VB
- **封裝**:TO3P
- **類型**:單一 N 通道
- **技術(shù)**:Trench
- **最大漏源電壓 (VDS)**:60V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:5.4mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:150A
- **導(dǎo)通延遲時間**:< 10ns
- **關(guān)斷延遲時間**:< 20ns
- **總柵電荷 (Qg)**:300nC
- **柵極-漏極電荷 (Qgd)**:75nC
- **漏極-源極電荷 (Qgs)**:225nC
- **熱阻 (RθJC)**:1.0°C/W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊實例

#### 電源管理模塊
2SK1259-VB 在高功率電源管理模塊中有廣泛應(yīng)用,特別是在需要承受高電壓和電流的場合,如開關(guān)電源和穩(wěn)壓器。

#### 電動車輛驅(qū)動器
由于其高漏極電流和低導(dǎo)通電阻,該型號適用于電動汽車和混合動力汽車的電機驅(qū)動器,確保系統(tǒng)的高效率和動態(tài)性能。

#### 工業(yè)高頻電源
在工業(yè)高頻電源系統(tǒng)中,2SK1259-VB 可用于高頻逆變器和功率放大器電路,提供高效率和可靠性的電源解決方案。

#### 機器人控制系統(tǒng)
在工業(yè)機器人和自動化設(shè)備的控制系統(tǒng)中,該型號可用于功率開關(guān)電路,提供高功率密度和精確控制。

#### 高性能音頻放大器
在高端音響系統(tǒng)和專業(yè)音頻設(shè)備中,2SK1259-VB 可用于音頻功率放大器電路,提供高保真度和低失真的音頻放大。

綜上所述,2SK1259-VB 是一款適用于高功率電路設(shè)計的高性能 MOSFET 元件,具有廣泛的應(yīng)用前景,可用于多種電子設(shè)備和系統(tǒng)。

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