--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡介
**型號:2SK1335STL-E-VB**
2SK1335STL-E-VB 是 VBsemi 公司生產(chǎn)的一款高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝。該器件具有高耐壓、低導(dǎo)通電阻和適當(dāng)?shù)碾娏魈幚砟芰?,適用于多種要求高功率和高效率的電子設(shè)備和模塊的設(shè)計。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO252
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:200V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:245mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:10A
- **技術(shù)**:Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
2SK1335STL-E-VB 具有高耐壓、低導(dǎo)通電阻和適當(dāng)?shù)碾娏魈幚砟芰?,適用于多種要求高功率和高效率的電子設(shè)備和模塊的設(shè)計。
1. **電源供應(yīng)**:
- **開關(guān)電源**:在高功率開關(guān)電源中,2SK1335STL-E-VB 可以用于高效的電源開關(guān),提供穩(wěn)定的電壓輸出。
- **逆變器**:在高功率逆變器中,該器件可用于轉(zhuǎn)換直流電源為交流電源,用于各種高功率應(yīng)用領(lǐng)域。
2. **電動車充電器**:
- 在電動車充電器中,2SK1335STL-E-VB 可以用于控制電池充放電過程,確保充電效率和電池壽命。
3. **工業(yè)控制**:
- **電機(jī)驅(qū)動**:在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中,該器件可用于驅(qū)動高功率電機(jī),提供高效的能量轉(zhuǎn)換和低損耗。
- **電源管理**:在工業(yè)電源管理系統(tǒng)中,2SK1335STL-E-VB 可以用于穩(wěn)定的電源輸出和電源開關(guān)控制。
4. **電力傳輸**:
- **電力逆變器**:在電力逆變器中,該器件可用于轉(zhuǎn)換直流電源為交流電源,用于電力傳輸和控制。
5. **醫(yī)療設(shè)備**:
- **高功率醫(yī)療設(shè)備**:在高功率醫(yī)療設(shè)備中,2SK1335STL-E-VB 可以用于驅(qū)動高功率器件和處理信號,實現(xiàn)高效、可靠的醫(yī)療設(shè)備功能。
2SK1335STL-E-VB 是一款高性能、高功率的 MOSFET,適用于多種高功率電子設(shè)備和系統(tǒng)的設(shè)計,提供高效、可靠的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12