91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

2SK1340-VB一款N-Channel溝道TO3P的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 2SK1340-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO3P封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 2SK1340-VB MOSFET 產(chǎn)品概述

**簡(jiǎn)介:**
2SK1340-VB是VBsemi設(shè)計(jì)的N-Channel MOSFET,適用于需要高電壓、低導(dǎo)通電阻和適中電流承載能力的各種應(yīng)用。采用SJ_Multi-EPI技術(shù),具有穩(wěn)定的性能和可靠性,是對(duì)性能和可靠性要求高的應(yīng)用的理想選擇。

**特點(diǎn):**
- **漏極-源極電壓(VDS):** 900V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±30V
- **閾值電壓(Vth):** 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 750mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流(ID):** 9A
- **技術(shù):** SJ_Multi-EPI
- **封裝:** TO3P
- **配置:** 單N-Channel

### 詳細(xì)規(guī)格

1. **電氣特性:**
  - **最大漏極-源極電壓(VDS):** 900V
  - **最大柵極-源極電壓(VGS):** ±30V
  - **閾值電壓(Vth):** 3.5V
  - **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 750mΩ @ VGS = 10V
  - **連續(xù)漏極電流(ID):** 9A

2. **熱性能和機(jī)械特性:**
  - **封裝類型:** TO3P
  - **結(jié)-外界熱阻:** 標(biāo)準(zhǔn)TO3P封裝的熱阻
  - **最大結(jié)溫(Tj):** 由制造商指定

3. **性能特點(diǎn):**
  - **技術(shù):** SJ_Multi-EPI
  - **柵極電荷(Qg):** 基于VGS和ID的典型值
  - **輸入電容(Ciss):** 高頻操作的典型值

### 應(yīng)用示例

1. **電源逆變器:**
  2SK1340-VB可用于高壓電源逆變器中,將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。其高漏極-源極電壓和穩(wěn)定性能確保了在家庭和工業(yè)應(yīng)用中的可靠運(yùn)行。

2. **電動(dòng)汽車充電樁:**
  由于2SK1340-VB具有高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,因此可用于電動(dòng)汽車充電樁中的電源管理和驅(qū)動(dòng)器,確保充電過程的安全和高效。

3. **工業(yè)電源系統(tǒng):**
  2SK1340-VB可用于工業(yè)電源系統(tǒng)中的電源管理和驅(qū)動(dòng)器。其適中的電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其成為工業(yè)環(huán)境中的理想選擇,確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。

總之,VBsemi的2SK1340-VB MOSFET是一款穩(wěn)定性能和可靠性的高壓N-Channel MOSFET,適用于電源逆變器、電動(dòng)汽車充電樁和工業(yè)電源系統(tǒng)等應(yīng)用。其穩(wěn)定的性能和高可靠性使其成為苛刻環(huán)境下的理想選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    545瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    468瀏覽量