--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、2SK1416-VB 產(chǎn)品簡介
2SK1416-VB 是一款單一 N 通道 MOSFET,封裝形式為 TO220。該型號采用 Trench 技術(shù)制造,具有較低的漏源電壓和導(dǎo)通電阻,適用于中高功率電路設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為 60V,最大柵源電壓(VGS)為 ±20V,閾值電壓(Vth)為 1.7V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 時為 28mΩ,在 VGS=10V 時為 24mΩ,最大漏極電流(ID)為 50A。
### 二、2SK1416-VB 詳細參數(shù)說明
- **型號**:2SK1416-VB
- **封裝**:TO220
- **類型**:單一 N 通道
- **技術(shù)**:Trench
- **最大漏源電壓 (VDS)**:60V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:28mΩ @ VGS=4.5V,24mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:50A
- **導(dǎo)通延遲時間**:< 10ns
- **關(guān)斷延遲時間**:< 20ns
- **總柵電荷 (Qg)**:40nC
- **柵極-漏極電荷 (Qgd)**:12nC
- **漏極-源極電荷 (Qgs)**:28nC
- **熱阻 (RθJC)**:1.5°C/W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊實例
#### 電源開關(guān)模塊
2SK1416-VB 可用于設(shè)計電源開關(guān)模塊,如電源開關(guān)、DC-DC 變換器等,適用于要求中高功率和高效率的場合。
#### 電動工具
由于其較高的漏極電流和適中的漏源電壓,該型號適用于設(shè)計電動工具,如電動鉆、電動錘等。
#### 電動汽車
在電動汽車的電動機驅(qū)動器中,該型號可用于設(shè)計電動汽車的電動機驅(qū)動器,提供高效率和高功率輸出。
#### 工業(yè)控制系統(tǒng)
在工業(yè)控制系統(tǒng)中,2SK1416-VB 可用于一些要求高功率開關(guān)和高效率的電路,如機械設(shè)備控制、工業(yè)照明控制等。
#### 高性能音頻放大器
在高性能音頻放大器中,該型號可用于功率放大器電路,提供高保真度和低失真的功率放大。
綜上所述,2SK1416-VB 是一款適用于中高功率電路設(shè)計的 MOSFET 元件,具有較低的漏源電壓和導(dǎo)通電阻,適用于多種電子設(shè)備和系統(tǒng)。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12