91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

2SK1486-VB一款N-Channel溝道TO3P的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 2SK1486-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO3P封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、2SK1486-VB 產(chǎn)品簡介

2SK1486-VB 是一款單一 N 通道 MOSFET,采用 TO3P 封裝形式,基于 SJ_Multi-EPI 技術制造。該型號具有較高的漏源電壓和適中的導通電阻,適用于要求較高耐壓和中等功率的電路設計。其最大漏源電壓(VDS)為 600V,最大柵源電壓(VGS)為 ±30V,閾值電壓(Vth)為 3.5V,導通電阻(RDS(ON))在 VGS=10V 時為 60mΩ,最大漏極電流(ID)為 47A。

### 二、2SK1486-VB 詳細參數(shù)說明

- **型號**:2SK1486-VB
- **封裝**:TO3P
- **類型**:單一 N 通道
- **技術**:SJ_Multi-EPI
- **最大漏源電壓 (VDS)**:600V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:60mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:47A
- **導通延遲時間**:< 10ns
- **關斷延遲時間**:< 20ns
- **總柵電荷 (Qg)**:140nC
- **柵極-漏極電荷 (Qgd)**:35nC
- **漏極-源極電荷 (Qgs)**:50nC
- **熱阻 (RθJC)**:1.2°C/W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C

### 三、應用領域和模塊實例

#### 高壓電源模塊
2SK1486-VB 可用于設計高壓電源模塊,如高壓直流電源、電力傳輸系統(tǒng)等,提供穩(wěn)定的電能轉換和傳輸。

#### 電動車電機驅(qū)動
在電動車電機驅(qū)動器中,該型號可用于設計電機驅(qū)動模塊,提供高效的電能轉換和動力輸出。

#### 工業(yè)控制系統(tǒng)
在工業(yè)控制系統(tǒng)中,2SK1486-VB 可用于設計高壓開關模塊,實現(xiàn)對工業(yè)設備的高壓控制和保護。

#### 高壓照明驅(qū)動
在高壓照明系統(tǒng)中,該型號可用于設計 LED 燈驅(qū)動器,提供穩(wěn)定的高壓輸出和高效的能量轉換。

#### 太陽能逆變器
在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,2SK1486-VB 可用于設計太陽能逆變器,將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電轉換為交流電,實現(xiàn)對電網(wǎng)的接入。

綜上所述,2SK1486-VB 是一款適用于中高壓、中等功率電路設計的 N 通道 MOSFET,具有較高的漏源電壓和適中的導通電阻,適用于多種電子設備和系統(tǒng)。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    545瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    468瀏覽量