--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO3P封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 2SK1518-VB 產(chǎn)品簡介
2SK1518-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO3P 封裝,適用于各種高壓功率控制和開關(guān)應(yīng)用。該器件具有高耐壓能力和低導(dǎo)通電阻,適用于要求高效率和可靠性的電路設(shè)計。
### 2SK1518-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝(Package)**: TO3P
- **配置(Configuration)**: 單 N 溝道(Single N-Channel)
- **漏源電壓(VDS)**: 600V
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V
- **門限電壓(Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 190mΩ @ VGS=10V
- **漏電流(ID)**: 20A
- **技術(shù)(Technology)**: SJ_Multi-EPI

### 2SK1518-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
#### 高壓功率控制
2SK1518-VB 可用作各種高壓功率控制電路中的開關(guān)元件,包括開關(guān)電源、逆變器等。其高耐壓能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高電路效率和性能。
#### 工業(yè)電子
在工業(yè)電子領(lǐng)域,2SK1518-VB 可用于控制和調(diào)節(jié)工業(yè)設(shè)備中的高壓電流和功率。其高耐壓能力和可靠性使其適用于各種高壓功率應(yīng)用。
#### 高壓直流輸電
2SK1518-VB 還可用于高壓直流輸電系統(tǒng)中,控制和調(diào)節(jié)直流電流。其高耐壓能力和可靠性使其適用于要求高電壓和高效率的輸電系統(tǒng)。
#### 醫(yī)療設(shè)備
在醫(yī)療設(shè)備中,2SK1518-VB 可用于控制和調(diào)節(jié)高壓電源和電流,如X射線設(shè)備、醫(yī)療成像設(shè)備等。其高性能和可靠性使其成為醫(yī)療設(shè)備的理想選擇。
2SK1518-VB 的高性能和可靠性使其適用于高壓功率控制、工業(yè)電子、高壓直流輸電、醫(yī)療設(shè)備等多個領(lǐng)域和模塊,為各種高壓功率應(yīng)用提供可靠的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12