91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

2SK1583-VB一款N-Channel溝道SOT89的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 2SK1583-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT89封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 2SK1583-VB 產(chǎn)品簡介

2SK1583-VB 是一款由 VBsemi 生產(chǎn)的單 N 溝道 MOSFET,采用 SOT89 封裝,適用于低電壓和中功率應用。該型號具有低導通電阻和高電流容量,適用于各種電子設備和模塊。其主要特點包括 30V 的漏源電壓(VDS)、30mΩ@VGS=2.5V 和 22mΩ@VGS=4.5V 的導通電阻(RDS(ON))、6.8A 的連續(xù)漏極電流(ID)以及 1.7V 的閾值電壓(Vth)。這些特性使其非常適合用于電池管理、功率管理和低功耗應用。

### 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)        | 數(shù)值                    | 單位 |
|-------------|-------------------------|------|
| 封裝類型    | SOT89                   |      |
| 配置        | 單 N 溝道               |      |
| 漏源電壓 (VDS) | 30                      | V    |
| 柵源電壓 (VGS) | 20 (±)                 | V    |
| 閾值電壓 (Vth)  | 1.7                     | V    |
| 導通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=2.5V | 30                      | mΩ   |
| 導通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=4.5V | 22                      | mΩ   |
| 漏極電流 (ID)   | 6.8                     | A    |
| 技術        | 溝道                    |      |

### 應用領域和模塊示例

2SK1583-VB MOSFET 適用于多個領域和模塊,主要包括以下幾個方面:

1. **電池管理**:在移動設備和便攜式電子產(chǎn)品中,2SK1583-VB 可用于電池保護電路,確保電池在充電和放電過程中處于安全狀態(tài)。

2. **功率管理**:在低電壓和中功率應用中,如電源轉換器和穩(wěn)壓器,2SK1583-VB 的低導通電阻和高電流容量有助于提高能效和降低功耗。

3. **低功耗應用**:由于其低閾值電壓和低導通電阻,2SK1583-VB 適用于對功耗要求嚴格的應用,如便攜式醫(yī)療設備和傳感器。

4. **電源開關**:在低電壓電源開關中,該型號可以實現(xiàn)快速開關和低損耗,提高系統(tǒng)效率和性能。

這些示例展示了 2SK1583-VB 在各種應用中的靈活性和多功能性,使其成為許多設計師的首選元件之一。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    548瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    468瀏覽量