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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SK1591-T1B-A-VB一款N-Channel溝道SOT23-3的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 2SK1591-T1B-A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-3封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 2SK1591-T1B-A-VB 產(chǎn)品簡介

2SK1591-T1B-A-VB 是一款由 VBsemi 生產(chǎn)的單 N 溝道 MOSFET,采用 SOT23-3 封裝,適用于低功率和中低電壓應(yīng)用。該型號(hào)具有低漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻,適用于多種電子設(shè)備和模塊。其主要特點(diǎn)包括 100V 的漏源電壓(VDS)、3000mΩ@VGS=4.5V 和 2800mΩ@VGS=10V 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))、0.26A 的連續(xù)漏極電流(ID)以及 1.5V 的閾值電壓(Vth)。這些特性使其適合用于低功率開關(guān)、電源管理和信號(hào)放大等應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)        | 數(shù)值                    | 單位 |
|-------------|-------------------------|------|
| 封裝類型    | SOT23-3                 |      |
| 配置        | 單 N 溝道               |      |
| 漏源電壓 (VDS) | 100                     | V    |
| 柵源電壓 (VGS) | 20 (±)                 | V    |
| 閾值電壓 (Vth)  | 1.5                     | V    |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=4.5V | 3000                    | mΩ   |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 2800                    | mΩ   |
| 漏極電流 (ID)   | 0.26                    | A    |
| 技術(shù)        | 溝道                    |      |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

2SK1591-T1B-A-VB MOSFET 適用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊,主要包括以下幾個(gè)方面:

1. **低功率開關(guān)**:在需要控制低功率設(shè)備的開關(guān)電路中,如 LED 燈控制、小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)等,2SK1591-T1B-A-VB 的低閾值電壓和低漏源電壓特性非常適用。

2. **電源管理**:在低電壓電源管理中,如便攜式設(shè)備和電池供電系統(tǒng)中,該型號(hào)可以用作開關(guān)或調(diào)節(jié)器,提供穩(wěn)定的電源輸出。

3. **信號(hào)放大**:在需要放大信號(hào)的電路中,2SK1591-T1B-A-VB 可以作為信號(hào)放大器的關(guān)鍵部件,提供穩(wěn)定的信號(hào)放大功能。

4. **電池保護(hù)**:在需要保護(hù)電池免受過電流和過電壓的影響的電路中,該型號(hào)可以用作保護(hù)開關(guān),確保電池處于安全狀態(tài)。

這些示例展示了 2SK1591-T1B-A-VB 在各種低功率和低電壓應(yīng)用中的靈活性和實(shí)用性,使其成為許多設(shè)計(jì)師的理想選擇。

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