--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220F封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 2SK1905-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
2SK1905-VB 是一款由 VBsemi 生產(chǎn)的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,適用于中電壓和高功率應(yīng)用。該型號(hào)具有低導(dǎo)通電阻和高電流容量,適用于多種電子設(shè)備和模塊。其主要特點(diǎn)包括 100V 的漏源電壓(VDS)、86mΩ@VGS=10V 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))、18A 的連續(xù)漏極電流(ID)以及 1.8V 的閾值電壓(Vth)。這些特性使其適合用于開關(guān)電源(SMPS)、電池保護(hù)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器等高功率應(yīng)用場(chǎng)景。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
| 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
|-------------|-------------------------|------|
| 封裝類型 | TO220F | |
| 配置 | 單 N 溝道 | |
| 漏源電壓 (VDS) | 100 | V |
| 柵源電壓 (VGS) | 20 (±) | V |
| 閾值電壓 (Vth) | 1.8 | V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 86 | mΩ |
| 漏極電流 (ID) | 18 | A |
| 技術(shù) | 溝道 | |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
2SK1905-VB MOSFET 適用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊,主要包括以下幾個(gè)方面:
1. **開關(guān)電源(SMPS)**:在高功率開關(guān)電源中,2SK1905-VB 的高電流容量和低導(dǎo)通電阻特性使其成為高效能的開關(guān)元件,有助于提高電源轉(zhuǎn)換效率并減少功率損耗。
2. **電池保護(hù)**:在需要保護(hù)電池免受過電流和過電壓的影響的電路中,該型號(hào)可以用作保護(hù)開關(guān),確保電池處于安全狀態(tài)。
3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:由于其高電流容量,2SK1905-VB 可用于高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的開關(guān)或調(diào)節(jié)器,提供穩(wěn)定的電流輸出。
4. **逆變器**:在高功率逆變器中,2SK1905-VB 的電壓容量和低導(dǎo)通電阻有助于提高系統(tǒng)的整體性能和可靠性。
這些示例展示了 2SK1905-VB 在高功率應(yīng)用中的靈活性和實(shí)用性,使其成為許多設(shè)計(jì)師的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛