--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SC75-3封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**2SK2035-VB** 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用SC75-3封裝,適用于各種低壓、低功率應(yīng)用。具有低閾值電壓、低導(dǎo)通電阻和高穩(wěn)定性,適合要求高效能和小尺寸的電路設(shè)計(jì)。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**:SC75-3
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:20V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:12(±V)
- **閾值電壓 (Vth)**:0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 390mΩ @ VGS=2.5V
- 270mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID)**:0.85A
- **技術(shù)**:溝槽型

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
**2SK2035-VB** 在以下領(lǐng)域和模塊中具有廣泛應(yīng)用:
1. **移動(dòng)設(shè)備**:
- 由于其低功率特性,可用于手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)設(shè)備中的功率管理模塊,如充電管理、電池管理等。
2. **便攜式電子產(chǎn)品**:
- 適用于便攜式音頻設(shè)備、手持式游戲機(jī)等產(chǎn)品中的功率管理和信號(hào)開(kāi)關(guān)。
3. **醫(yī)療電子**:
- 在醫(yī)療設(shè)備中,可用于各種電路,如心跳監(jiān)測(cè)器、醫(yī)療圖像設(shè)備等,滿(mǎn)足對(duì)小尺寸和高性能的要求。
4. **工業(yè)控制**:
- 可用于傳感器信號(hào)處理、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的控制模塊等。
5. **消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品**:
- 適用于智能家居產(chǎn)品、智能穿戴設(shè)備等的電源管理和信號(hào)開(kāi)關(guān)。
### 小結(jié)
**2SK2035-VB** 是一款適用于低壓、低功率應(yīng)用的高性能單N溝道MOSFET,具有低閾值電壓、低導(dǎo)通電阻和高穩(wěn)定性的特點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、便攜式電子產(chǎn)品、醫(yī)療電子、工業(yè)控制和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛