--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**2SK2201-VB** 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝形式,具有良好的導(dǎo)通性能和高可靠性。其額定漏源電壓(VDS)為100V,柵源電壓(VGS)為±20V,具有1.8V的柵極閾值電壓(Vth)。在VGS=4.5V時,RDS(ON)為57mΩ,在VGS=10V時為55mΩ,最大連續(xù)漏電流(ID)為25A。該器件采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造,適用于中高壓高功率電源管理和開關(guān)電路應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: 2SK2201-VB
- **封裝形式**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 57mΩ @ VGS=4.5V
- 55mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 25A
- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù) (Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊
**2SK2201-VB** 適用于多種中高壓高功率電源管理和開關(guān)電路應(yīng)用,包括但不限于以下幾個領(lǐng)域和模塊:
1. **電源轉(zhuǎn)換模塊**:
- **中高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器**: 由于其中高壓VDS和低RDS(ON)特性,適用于中高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器中。
- **中高功率AC-DC轉(zhuǎn)換器**: 在工業(yè)電源和電力電子中用于中高功率的電能轉(zhuǎn)換。
2. **電機(jī)驅(qū)動模塊**:
- **中高壓電機(jī)驅(qū)動**: 其高電流能力和耐中高壓特性,使其適用于中高壓電機(jī)的驅(qū)動電路中。
- **工業(yè)自動化**: 在工業(yè)機(jī)器人和自動化設(shè)備中,用于中高壓電機(jī)的控制和驅(qū)動。
3. **功率放大模塊**:
- **中高功率放大器**: 在音響系統(tǒng)和通信設(shè)備中用作功率放大器的開關(guān)元件,提供中高功率的放大。
4. **電力管理模塊**:
- **電力逆變器**: 用于太陽能和風(fēng)能等可再生能源電力逆變器中,提供中高功率的電能轉(zhuǎn)換。
- **高壓穩(wěn)壓器**: 在高壓穩(wěn)壓器中用于穩(wěn)定輸出電壓。
5. **電動汽車模塊**:
- **電動汽車控制**: 在電動汽車的電機(jī)控制器中,提供中高壓、高功率的電機(jī)驅(qū)動。
2SK2201-VB MOSFET在這些中高壓高功率應(yīng)用中,通過其優(yōu)異的電氣特性和高可靠性,為電子設(shè)備提供了中高壓高功率、高效能的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12