--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
2SK2517-01L,S-VB 是一款高功率、單N溝道MOSFET,采用TO263封裝。其設(shè)計采用了Trench技術(shù),具有高效的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻,適用于各種高功率應(yīng)用場景。該MOSFET具有60V的漏源電壓(VDS),能夠在較低的柵極電壓下提供可靠的導(dǎo)通性能。其最大漏極電流(ID)為75A,柵源電壓(VGS)為20V(±),門限電壓(Vth)為1.7V。
### 詳細參數(shù)說明
- **型號**: 2SK2517-01L,S-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 60V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **門限電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 12mΩ @ VGS=4.5V, 11mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**: 75A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊
2SK2517-01L,S-VB MOSFET 具有高功率和高效的特性,適用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **電源管理系統(tǒng)**:在需要高功率開關(guān)和穩(wěn)定性能的應(yīng)用中,該MOSFET能夠提供可靠的開關(guān)性能,適用于工業(yè)電源、服務(wù)器電源和高功率電源供應(yīng)器。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其成為高效電源管理系統(tǒng)的理想選擇。
2. **電機驅(qū)動**:在需要處理高功率的電機控制和驅(qū)動應(yīng)用中,該MOSFET能夠提供高效的開關(guān)和控制特性,適用于電動工具、電動汽車和其他高功率電機控制模塊。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保了電機驅(qū)動系統(tǒng)的可靠性和效率。
3. **電池管理**:用于高功率電池管理系統(tǒng)中的開關(guān)和保護電路,2SK2517-01L,S-VB能夠提供可靠的高功率開關(guān)性能,適用于電動汽車、儲能系統(tǒng)等領(lǐng)域。其高效的開關(guān)特性有助于提高電池管理系統(tǒng)的性能和壽命。
4. **電源逆變器**:在需要高功率逆變和穩(wěn)定性能的應(yīng)用中,該MOSFET能夠提供可靠的開關(guān)性能,適用于太陽能逆變器、風(fēng)能逆變器等領(lǐng)域。其高效率和低損耗特性使其成為高效能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。
通過這些應(yīng)用示例,可以看出2SK2517-01L,S-VB MOSFET 適用于需要高功率、高效開關(guān)特性的多種電子和工業(yè)應(yīng)用場景。其優(yōu)越的電氣特性和可靠性使其成為各類高功率應(yīng)用的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12