91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

2SK2553-VB一種N-Channel溝道TO252封裝MOS管

型號: 2SK2553-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**2SK2553-VB** 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝形式,具有優(yōu)異的導(dǎo)通性能和高可靠性。其額定漏源電壓(VDS)為60V,柵源電壓(VGS)為±20V,柵極閾值電壓(Vth)為3V。在VGS=4.5V時,RDS(ON)為12mΩ,而在VGS=10V時,RDS(ON)僅為4.5mΩ,最大連續(xù)漏電流(ID)可達97A。該器件采用Trench技術(shù)制造,適用于高性能、高功率的電源管理和開關(guān)電路應(yīng)用。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: 2SK2553-VB
- **封裝形式**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
  - 12mΩ @ VGS=4.5V
  - 4.5mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 97A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊

**2SK2553-VB** 可廣泛應(yīng)用于需要高性能、高功率的電源管理和開關(guān)電路中,包括但不限于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電動工具**:
  - **電動鉆/電錘**: 用作驅(qū)動器件,提供高效的電機驅(qū)動性能。
  - **電動割草機**: 在高功率電動割草機中,提供高效能的電動機控制。

2. **工業(yè)自動化**:
  - **工業(yè)機器人**: 用于高性能工業(yè)機器人中的電機驅(qū)動器件。
  - **自動化設(shè)備**: 用于各種自動化設(shè)備中的電源管理和開關(guān)電路。

3. **車載電子**:
  - **電動汽車**: 用于電動汽車中的功率開關(guān)器件,提供高效的電能轉(zhuǎn)換。
  - **車載充電樁**: 在電動汽車充電樁中,提供高功率的開關(guān)電路控制。

4. **電源管理**:
  - **高性能電源模塊**: 在需要高效能電源管理的應(yīng)用中,提供穩(wěn)定的電源輸出。
  - **電源逆變器**: 在需要高功率逆變器的場合,提供高效的電能轉(zhuǎn)換。

5. **通信設(shè)備**:
  - **高功率通信設(shè)備**: 在高功率通信設(shè)備中,提供高效的電源管理和開關(guān)控制。

2SK2553-VB MOSFET以其高性能和高可靠性,適用于各種高功率、高性能的電子設(shè)備和系統(tǒng),為其提供高效、穩(wěn)定的電源管理和開關(guān)控制功能。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    549瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    468瀏覽量