--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220F封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、2SK2793-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
2SK2793-VB 是一款由VBsemi公司生產(chǎn)的單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝。該MOSFET具有650V的漏源電壓(VDS)和30V的柵源電壓(VGS),能夠在惡劣環(huán)境中提供高效和可靠的性能。該產(chǎn)品采用了平面技術(shù),確保了在不同應(yīng)用中的穩(wěn)定性和耐用性。其最大漏極電流(ID)為7A,在VGS為10V時(shí)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為1100毫歐。這個(gè)器件非常適合高壓和高效能的應(yīng)用場(chǎng)景。
### 二、2SK2793-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝形式**:TO220F
- **極性**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓(VDS)**:650V
- **柵源電壓(VGS)**:30V(±)
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:7A
- **技術(shù)**:平面技術(shù)
- **其他參數(shù)**:
- 柵極電荷(Qg):待定
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):待定
- 電感負(fù)載開(kāi)關(guān)時(shí)間(tsw):待定
- 封裝尺寸:待定
- 工作溫度范圍:待定

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例
2SK2793-VB MOSFET 由于其高電壓和高電流能力,廣泛應(yīng)用于各種高效能電力電子設(shè)備中。以下是一些具體的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:
1. **電源模塊**:適用于開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)等需要高效開(kāi)關(guān)能力的電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。2SK2793-VB 的高電壓和低導(dǎo)通電阻特性使其能夠有效地管理和轉(zhuǎn)換電能,提升整體系統(tǒng)效率。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**:在電機(jī)控制系統(tǒng)中,尤其是工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中,2SK2793-VB 可以提供可靠的高壓控制和高電流驅(qū)動(dòng),確保電機(jī)的平穩(wěn)運(yùn)行和高效能量利用。
3. **太陽(yáng)能逆變器**:在光伏系統(tǒng)中,MOSFET用于轉(zhuǎn)換直流電為交流電。2SK2793-VB 的高電壓耐受性和穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)特性使其成為太陽(yáng)能逆變器的理想選擇,提升系統(tǒng)的可靠性和轉(zhuǎn)換效率。
4. **照明系統(tǒng)**:特別是高功率LED照明和HID燈具驅(qū)動(dòng)器中,2SK2793-VB 可以通過(guò)高效開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)電流和電壓,提供穩(wěn)定的照明輸出,同時(shí)降低能耗。
5. **電動(dòng)汽車(chē)充電器**:在電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)中,2SK2793-VB 的高電流處理能力和高效能開(kāi)關(guān)特性使其能夠快速、可靠地進(jìn)行電能傳輸,提高充電效率。
總的來(lái)說(shuō),2SK2793-VB 是一款性能優(yōu)越、應(yīng)用廣泛的N溝道MOSFET,在高壓和高效能的電力電子設(shè)備中發(fā)揮著重要作用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛