--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、2SK2796STL-E-VB 產(chǎn)品簡介
2SK2796STL-E-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,適用于各種低壓功率電子應(yīng)用。該型號具有60V 的漏源電壓 (VDS) 和 18A 的連續(xù)漏極電流 (ID),在不同的柵源電壓下,具有不同的導通電阻 (RDS(ON)),表現(xiàn)出優(yōu)異的開關(guān)性能。采用了 Trench 技術(shù),增強了器件的導電特性和穩(wěn)定性,使其在低壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
### 二、2SK2796STL-E-VB 詳細參數(shù)說明
| 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | 備注 |
|-------------------|-----------|-------|------------------------------------------|
| **封裝類型** | TO252 | | |
| **配置** | 單 N 溝道 | | |
| **漏源電壓 (VDS)** | 60 | V | 最大額定值 |
| **柵源電壓 (VGS)** | 20(±) | V | 最大額定值 |
| **閾值電壓 (Vth)** | 1.7 | V | 典型值 |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 85 | mΩ | VGS=4.5V 時 |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 73 | mΩ | VGS=10V 時 |
| **連續(xù)漏極電流 (ID)** | 18 | A | 最大額定值 |
| **技術(shù)** | Trench | | 溝槽結(jié)構(gòu) |

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及示例
2SK2796STL-E-VB MOSFET 適用于各種低壓功率應(yīng)用,具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域:
1. **電源管理**:在低壓電源管理模塊中,該 MOSFET 可以用于穩(wěn)壓器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。其低 RDS(ON) 值和高漏極電流使其成為高效的電源管理解決方案。
2. **電池管理**:在電池充放電控制電路中,2SK2796STL-E-VB 可以用于電池保護電路和充電管理模塊。其低閾值電壓和低漏電流特性使其適用于延長電池壽命并提高電池效率。
3. **LED 驅(qū)動**:在低壓 LED 照明系統(tǒng)中,該器件可用于 LED 驅(qū)動器和照明控制模塊。其高效能和可靠性有助于提高 LED 燈的效率和壽命。
4. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,2SK2796STL-E-VB 可以用于車載電源管理、電動汽車驅(qū)動器和車身控制模塊。其高漏極電流和穩(wěn)定性使其成為汽車電子系統(tǒng)的理想選擇。
綜上所述,2SK2796STL-E-VB MOSFET 在電源管理、電池管理、LED 照明和汽車電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景,并且能夠提供高效能和可靠性的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12