91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

2SK2885-VB一款Single-N-Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 2SK2885-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 Single-N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

2SK2885-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用先進的溝槽技術(shù)制造,具備出色的導(dǎo)通特性和高可靠性。該器件封裝在 TO252 封裝中,具備30V 的漏源電壓(VDS),20V 的柵源電壓(VGS),以及 70A 的最大漏極電流(ID)。在不同柵源電壓下,其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))分別為 9mΩ @ VGS=4.5V 和 7mΩ @ VGS=10V,適用于要求高電流和低導(dǎo)通損耗的應(yīng)用場合。

### 二、詳細參數(shù)說明

- **型號:** 2SK2885-VB
- **封裝:** TO252
- **配置:** 單 N 溝道
- **漏源電壓(VDS):** 30V
- **柵源電壓(VGS):** 20V(±)
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID):** 70A
- **技術(shù)類型:** 溝槽技術(shù)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

2SK2885-VB 具有高電流和低導(dǎo)通損耗的特點,適用于一些對電流和能效要求較高的應(yīng)用場合,以下是一些典型應(yīng)用示例:

1. **電源管理模塊:**
  - **高電流開關(guān)電源:** 由于其高電流和低導(dǎo)通電阻,2SK2885-VB 特別適用于高電流開關(guān)電源模塊,如服務(wù)器電源和工業(yè)電源等,能夠提供高效能的轉(zhuǎn)換性能。

2. **電動車輛系統(tǒng):**
  - **電動車輛控制器:** 在電動車輛的電機控制系統(tǒng)中,MOSFET 被廣泛應(yīng)用。2SK2885-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通損耗,使其成為電動車輛控制器中的理想選擇。

3. **工業(yè)自動化設(shè)備:**
  - **工業(yè)電機控制:** 在工業(yè)自動化設(shè)備中,2SK2885-VB 可以用作工業(yè)電機的控制開關(guān),確保設(shè)備的高效運行和穩(wěn)定性。

4. **電源逆變器:**
  - **逆變器開關(guān):** 在太陽能逆變器和其他電源逆變器中,MOSFET 被用于控制能量流動。2SK2885-VB 的高功率處理能力和低導(dǎo)通損耗,使其成為逆變器開關(guān)的理想選擇。

通過以上應(yīng)用實例,可以看出 2SK2885-VB 在高電流、低導(dǎo)通損耗應(yīng)用中的廣泛應(yīng)用,展現(xiàn)了其在電源管理和控制領(lǐng)域的優(yōu)越性能。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    551瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    468瀏覽量