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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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2SK2925-VB一款Single-N-Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 2SK2925-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 Single-N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、2SK2925-VB 產(chǎn)品簡介

2SK2925-VB 是一款由VBsemi公司生產(chǎn)的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝。該MOSFET具有60V的漏源電壓(VDS)和20V的柵源電壓(VGS),能夠在低壓應(yīng)用中提供高效和可靠的性能。該產(chǎn)品采用了溝道技術(shù),確保了在不同應(yīng)用中的穩(wěn)定性和耐用性。其最大漏極電流(ID)為18A,在VGS為4.5V時的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為85mΩ,在VGS為10V時的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為73mΩ。這個器件適用于對低壓要求且需要中等電流的場合。

### 二、2SK2925-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝形式**:TO252
- **極性**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:60V
- **柵源電壓(VGS)**:20V(±)
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - @ VGS=4.5V: 85mΩ
 - @ VGS=10V: 73mΩ
- **漏極電流(ID)**:18A
- **技術(shù)**:溝道技術(shù)
- **其他參數(shù)**:
 - 柵極電荷(Qg):待定
 - 反向恢復(fù)時間(trr):待定
 - 電感負(fù)載開關(guān)時間(tsw):待定
 - 封裝尺寸:待定
 - 工作溫度范圍:待定

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

2SK2925-VB MOSFET 由于其低壓和中等電流能力,適用于各種低壓高功率場景。以下是一些具體的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:

1. **電源模塊**:在需要中等電壓和中等電流的電源模塊中,2SK2925-VB 可以提供可靠的功率開關(guān)和電流控制,使電源模塊具有更好的效率和可靠性。

2. **電機驅(qū)動器**:在低壓高功率電機控制系統(tǒng)中,2SK2925-VB 可以提供高效的電流控制和電壓調(diào)節(jié),確保電機的穩(wěn)定運行和高效能轉(zhuǎn)換。

3. **LED照明系統(tǒng)**:對于需要低壓高功率的LED照明系統(tǒng),2SK2925-VB 可以提供穩(wěn)定的電流和電壓輸出,提升照明效果和能源利用率。

4. **電池管理系統(tǒng)**:在需要高電流充放電的電池管理系統(tǒng)中,2SK2925-VB 可以提供穩(wěn)定的電流控制和電壓調(diào)節(jié),確保電池系統(tǒng)的安全運行和長壽命。

總的來說,2SK2925-VB 是一款適用于低壓高功率場合的N溝道MOSFET,具有高性能和穩(wěn)定性,可以滿足各種高功率電子設(shè)備的需求。

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