--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
2SK3064-VB是一款由VBsemi生產(chǎn)的單N溝道MOSFET,采用SC70-3封裝。該MOSFET具有低壓特性,適用于低壓低功率開關(guān)和電源管理應(yīng)用。其采用了溝槽技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高效能量轉(zhuǎn)換的特性,是許多低壓電子設(shè)備中的理想選擇。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號(hào)**: 2SK3064-VB
- **封裝**: SC70-3
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓(VDS)**: 20V
- **最大柵源電壓(VGS)**: ±12V
- **閾值電壓(Vth)**: 0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 48mΩ @ VGS = 2.5V, 40mΩ @ VGS = 4.5V, 36mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流(ID)**: 4A
- **技術(shù)**: 溝槽型

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例
2SK3064-VB MOSFET適用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **移動(dòng)設(shè)備**:
- **智能手機(jī)**:在智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備中,用于電源管理和低壓開關(guān)控制。
- **平板電腦**:在平板電腦等設(shè)備中,提供低壓低功率的開關(guān)控制。
2. **消費(fèi)電子**:
- **便攜式音頻設(shè)備**:在耳機(jī)放大器等便攜式音頻設(shè)備中,用于電源管理和低功率開關(guān)控制。
- **手持游戲機(jī)**:在手持游戲機(jī)等設(shè)備中,提供低功率的開關(guān)控制。
3. **醫(yī)療設(shè)備**:
- **便攜式醫(yī)療設(shè)備**:在便攜式醫(yī)療設(shè)備中,用于電源管理和低功率開關(guān)控制。
4. **工業(yè)控制**:
- **傳感器接口**:在傳感器接口電路中,用于低壓低功率的開關(guān)控制。
- **數(shù)據(jù)采集**:在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中,提供低功率的開關(guān)控制。
綜上所述,2SK3064-VB MOSFET具有低壓低功率特性,適用于許多低壓電子設(shè)備和系統(tǒng),是許多低功率電子設(shè)備中重要的功能元件。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛