--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220F封裝
- 溝道 Single-N溝道
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、2SK3095LS-VB 產(chǎn)品簡介
2SK3095LS-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,適用于各種中高壓功率電子應(yīng)用。該型號具有650V 的漏源電壓 (VDS) 和 10A 的連續(xù)漏極電流 (ID),在不同的柵源電壓下,具有不同的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),表現(xiàn)出適用于中高壓功率應(yīng)用的特性。采用了 Plannar 技術(shù),具有簡單的結(jié)構(gòu)和穩(wěn)定性,適用于要求較高功率和可靠性的電子應(yīng)用。
### 二、2SK3095LS-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | 備注 |
|-------------------|------------|-------|------------------------------------------|
| **封裝類型** | TO220F | | |
| **配置** | 單 N 溝道 | | |
| **漏源電壓 (VDS)** | 650 | V | 最大額定值 |
| **柵源電壓 (VGS)** | 30(±) | V | 最大額定值 |
| **閾值電壓 (Vth)** | 3.5 | V | 典型值 |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 830 | mΩ | VGS=10V 時 |
| **連續(xù)漏極電流 (ID)** | 10 | A | 最大額定值 |
| **技術(shù)** | Plannar | | 平面結(jié)構(gòu) |

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及示例
2SK3095LS-VB MOSFET 適用于各種中高壓功率電子應(yīng)用,具有以下應(yīng)用領(lǐng)域:
1. **電源管理**:在中高壓電源管理中,該器件可用于穩(wěn)壓和功率控制。其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流使其成為中高壓電源管理的理想選擇。
2. **電機驅(qū)動**:在電機控制系統(tǒng)中,2SK3095LS-VB 可以用于驅(qū)動和控制電機的轉(zhuǎn)速和扭矩。其高電流和穩(wěn)定性有助于提高電機控制系統(tǒng)的效率和性能。
3. **工業(yè)控制**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,2SK3095LS-VB 可以用于傳感器信號處理和開關(guān)控制。其高速開關(guān)和穩(wěn)定性有助于提高工業(yè)設(shè)備的效率和可靠性。
綜上所述,2SK3095LS-VB MOSFET 在電源管理、電機驅(qū)動和工業(yè)控制等中高壓功率應(yīng)用領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景,并且能夠提供高效能和可靠性的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12