--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT89
- 溝道 Single-N溝道
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
2SK3291-VB是一款單N溝道功率MOSFET,采用SOT89封裝。這款MOSFET具有60V的漏源電壓和5.5A的漏極電流,適用于低至中功率的應(yīng)用。其采用了Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高可靠性。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: 2SK3291-VB
- **封裝**: SOT89
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 88mΩ @ VGS=4.5V, 76mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 5.5A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理模塊**:2SK3291-VB適用于低至中功率的開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和LED驅(qū)動器等電源管理模塊。其低導(dǎo)通電阻和高漏源電壓特性能夠確保模塊的高效能量轉(zhuǎn)換。
2. **醫(yī)療設(shè)備**:在醫(yī)療設(shè)備中,如醫(yī)療圖像設(shè)備、生命支持系統(tǒng)和醫(yī)療檢測設(shè)備中,這款MOSFET可用于功率放大器和驅(qū)動器,提供可靠的功率控制和管理。
3. **消費電子**:2SK3291-VB可用于消費電子產(chǎn)品,如智能手機(jī)、平板電腦和數(shù)碼相機(jī)等,幫助提高設(shè)備的能效和性能。
4. **工業(yè)控制**:在工業(yè)自動化控制系統(tǒng)中,這款MOSFET可用于電機(jī)驅(qū)動器、電源供應(yīng)器和UPS系統(tǒng)等,提供可靠的功率控制和保護(hù)功能。
5. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,2SK3291-VB可用于汽車燈光控制、電池管理系統(tǒng)和動力轉(zhuǎn)換器等部分,提高汽車電子系統(tǒng)的效率和可靠性。
2SK3291-VB的低至中功率特性使其成為許多領(lǐng)域的理想選擇,為各種電子系統(tǒng)提供可靠的功率控制和管理解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12