--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 Single-N溝道
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
2SK3355-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO263封裝。這款MOSFET具有60V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),適用于高功率電源管理和功率控制應(yīng)用。其采用Trench技術(shù),具有非常低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和高漏極電流(ID)能力,適用于對(duì)功率要求較高的場(chǎng)合。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號(hào)**: 2SK3355-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 60V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 4mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**: 150A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **高功率電源**:由于2SK3355-VB 具有非常低的導(dǎo)通電阻和高漏極電流,適用于高功率電源管理模塊,如工業(yè)電源和服務(wù)器電源。其能夠在高電流下保持低損耗,提高系統(tǒng)效率。
2. **電動(dòng)車輛**:在電動(dòng)車輛中,這款MOSFET可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池管理系統(tǒng),其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高電動(dòng)車輛的性能和續(xù)航里程。
3. **工業(yè)控制**:2SK3355-VB 適用于各種工業(yè)控制應(yīng)用,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、UPS系統(tǒng)和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備。其穩(wěn)定性和高效能量轉(zhuǎn)換特性有助于提高工業(yè)設(shè)備的可靠性和效率。
4. **電源放大器**:這款MOSFET 還可用于音頻功率放大器和功率放大器中的開關(guān)控制部分,其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流能夠提供高質(zhì)量的音頻輸出。
綜上所述,2SK3355-VB 是一款高性能且多功能的MOSFET,適用于高功率電源、電動(dòng)車輛、工業(yè)控制和電源放大器等領(lǐng)域和模塊。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛