--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 Single-N溝道
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**型號(hào)**: 2SK3483-Z-VB
**封裝**: TO252
**配置**: 單N溝道MOSFET
**技術(shù)**: 溝道型
2SK3483-Z-VB是一款高性能N溝道功率MOSFET,具有高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻,適用于中高功率開(kāi)關(guān)電源和功率放大器等應(yīng)用。該MOSFET采用TO252封裝,具有良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性。
### 產(chǎn)品參數(shù)
- **漏-源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵-源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 35mΩ @ VGS=4.5V
- 30mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 40A
- **技術(shù)**: 溝道型

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
**1. 電源轉(zhuǎn)換器**
2SK3483-Z-VB適用于各種電源轉(zhuǎn)換器模塊,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC變換器。其高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠高效地處理中高功率應(yīng)用,提供穩(wěn)定的電源輸出。
**2. 電動(dòng)汽車**
在電動(dòng)汽車中,2SK3483-Z-VB可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源管理模塊。其高性能和可靠性有助于提高電動(dòng)汽車的驅(qū)動(dòng)效率和續(xù)航里程,滿足電動(dòng)汽車市場(chǎng)的需求。
**3. 工業(yè)控制系統(tǒng)**
在工業(yè)控制系統(tǒng)中,2SK3483-Z-VB可用于各種驅(qū)動(dòng)器和控制器模塊。其高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠在高功率工業(yè)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,確保工業(yè)設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。
**4. 高保真音響系統(tǒng)**
在高保真音響系統(tǒng)中,2SK3483-Z-VB可用于功率放大器模塊。其高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高音響系統(tǒng)的音質(zhì)和功率輸出,滿足音響發(fā)燒友對(duì)音質(zhì)的要求。
2SK3483-Z-VB MOSFET適用于許多不同的應(yīng)用領(lǐng)域,包括電源轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車、工業(yè)控制系統(tǒng)和高保真音響系統(tǒng)等,為這些領(lǐng)域提供高效能和可靠性的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛