--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SC75-3封裝
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**型號(hào):2SK3546G-VB**
2SK3546G-VB 是一款單N溝道功率MOSFET,采用SC75-3封裝。它具有60V的漏源極電壓(VDS),適用于低功率應(yīng)用。采用了Trench技術(shù),具有良好的性能和可靠性。
### 產(chǎn)品參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**:SC75-3
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:60V
- **柵源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 4.5V柵源極電壓下為2000mΩ
- 10V柵源極電壓下為1200mΩ
- **連續(xù)漏極電流(ID)**:0.33A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
**1. 便攜式電子設(shè)備**
由于2SK3546G-VB 具有小尺寸和低功耗特性,因此適用于便攜式電子設(shè)備,如智能手機(jī)、平板電腦等。其低功耗和小封裝使其成為這些設(shè)備中的理想開(kāi)關(guān)元件。
**2. 低功率電源**
在低功率電源中,該MOSFET可用于開(kāi)關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器等模塊中。其低導(dǎo)通電阻和低功耗特性使其成為這些模塊中的理想元件。
**3. 傳感器控制**
在傳感器控制中,2SK3546G-VB 可以用于控制傳感器的開(kāi)關(guān)和放大。其小尺寸和低功耗使其成為傳感器控制領(lǐng)域的理想選擇。
**4. 醫(yī)療設(shè)備**
在醫(yī)療設(shè)備中,該MOSFET可用于控制醫(yī)療設(shè)備的電路,如監(jiān)護(hù)設(shè)備、醫(yī)療成像設(shè)備等。其小尺寸和低功耗特性使其在醫(yī)療設(shè)備中表現(xiàn)優(yōu)異。
**總結(jié)**
2SK3546G-VB 是一款低功率、低壓的N溝道MOSFET,適用于需要低功率和低電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。其小尺寸、低功耗和良好的性能使其成為便攜式電子設(shè)備、低功率電源、傳感器控制和醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域的理想選擇。
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