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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SK3567-VB一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 2SK3567-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:2SK3567-VB MOSFET

2SK3567-VB 是一款由VBsemi生產(chǎn)的單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝。該器件設(shè)計(jì)用于提供高效率和可靠性,適用于各種電力和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。2SK3567-VB 的主要特點(diǎn)包括650V的漏極-源極電壓(VDS)、±30V的柵極-源極電壓(VGS),以及4A的漏極電流(ID)。器件采用Plannar技術(shù),具有較高的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和可靠的性能,適用于中低功率應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: 2SK3567-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源逆變器**: 由于2SK3567-VB 具有適中的漏極電壓和較高的導(dǎo)通電阻,適用于中低功率的電源逆變器和開(kāi)關(guān)電源中的開(kāi)關(guān)器件。
 
2. **工業(yè)控制**: 在需要控制中低功率設(shè)備和系統(tǒng)的工業(yè)控制應(yīng)用中,2SK3567-VB 可以用作開(kāi)關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)快速和可靠的開(kāi)關(guān)操作。
 
3. **照明應(yīng)用**: 在LED照明驅(qū)動(dòng)器等低功率照明應(yīng)用中,2SK3567-VB 可以用于控制電能的轉(zhuǎn)換和管理,提高照明系統(tǒng)的效率和可靠性。
 
4. **電動(dòng)工具**: 在需要中低功率開(kāi)關(guān)器件的電動(dòng)工具中,2SK3567-VB 可以用于控制電機(jī)和其他關(guān)鍵系統(tǒng)。

綜上所述,2SK3567-VB MOSFET 適用于電源逆變器、工業(yè)控制、照明應(yīng)用和電動(dòng)工具等領(lǐng)域,為這些應(yīng)用提供高性能和可靠性。

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