--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220封裝
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 2SK3586-01-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
2SK3586-01-VB 是一款單 N 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),封裝形式為 TO220。該型號 MOSFET 具有高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻,適用于需要高性能和中等功率處理能力的電源管理和開關(guān)應(yīng)用。它采用 Trench 技術(shù),具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性和可靠性。
### 2SK3586-01-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù)名稱 | 參數(shù)值 |
|------------------|------------------------|
| **封裝形式** | TO220 |
| **配置** | 單 N 溝道 |
| **漏源電壓 (VDS)** | 100V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±20V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 1.8V |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 17mΩ @ VGS=10V |
| **漏極電流 (ID)** | 70A |
| **技術(shù)** | Trench |

### 2SK3586-01-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **電源管理系統(tǒng)**:由于 2SK3586-01-VB 具有高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻,適用于需要高性能和中等功率處理能力的電源管理系統(tǒng)。例如,開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中,該器件可以提供高效率和可靠性。
2. **電動汽車充電樁**:在電動汽車充電樁中,需要能夠承受高電壓和大電流的器件來實(shí)現(xiàn)快速充電。2SK3586-01-VB 的高漏源電流和低導(dǎo)通電阻使其成為這些充電樁中的理想選擇,有助于提高充電效率和穩(wěn)定性。
3. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,需要能夠控制高功率設(shè)備的器件來實(shí)現(xiàn)精確控制。2SK3586-01-VB 的高性能和可靠性使其成為這些控制系統(tǒng)中的理想選擇,有助于提高系統(tǒng)的響應(yīng)速度和穩(wěn)定性。
4. **電力逆變器**:在電力逆變器中,需要能夠承受高電壓和大電流的器件來實(shí)現(xiàn)直流到交流的轉(zhuǎn)換。2SK3586-01-VB 的高耐壓能力和低導(dǎo)通電阻使其適用于這些逆變器模塊,有助于提高電力系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率。
綜上所述,2SK3586-01-VB 適用于需要高性能和中等功率處理能力的電子設(shè)備和系統(tǒng)中,特別是在需要高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)越。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛