91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

2SK3635-Z-E1-AZ-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 2SK3635-Z-E1-AZ-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**型號(hào):2SK3635-Z-E1-AZ-VB**

2SK3635-Z-E1-AZ-VB 是一款單N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝。它具有200V的漏源極電壓(VDS),適用于中壓應(yīng)用。采用了Trench技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻和適中的電流特性。

### 產(chǎn)品參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:200V
- **柵源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:245mΩ@VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流(ID)**:10A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

**1. 電源轉(zhuǎn)換器**
2SK3635-Z-E1-AZ-VB 可以用于開(kāi)關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器等模塊中。其中中等漏源極電壓和適中導(dǎo)通電阻特性使其成為這些模塊中的理想元件。

**2. 照明控制**
在LED照明系統(tǒng)中,該MOSFET可用于控制LED燈的功率開(kāi)關(guān)和調(diào)光。其中中等漏源極電壓和適中導(dǎo)通電阻特性使其成為L(zhǎng)ED照明控制領(lǐng)域的理想選擇。

**3. 電動(dòng)工具**
在電動(dòng)工具中,該MOSFET可用于控制電動(dòng)工具的功率輸出。其中中等漏源極電壓和適中導(dǎo)通電阻特性使其成為電動(dòng)工具中的理想元件。

**4. 汽車電子**
在汽車電子系統(tǒng)中,2SK3635-Z-E1-AZ-VB 可以用于控制汽車電子設(shè)備的電路,如發(fā)動(dòng)機(jī)控制、電池管理等。其中中等漏源極電壓和適中導(dǎo)通電阻特性使其在汽車電子領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    551瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    468瀏覽量