91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

2SK3639-ZK-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 2SK3639-ZK-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2SK3639-ZK-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO252封裝。具有20V的漏源電壓和100A的漏極電流,適用于需要低壓和高功率處理能力的電子設(shè)備中。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào):** 2SK3639-ZK-VB
- **封裝:** TO252
- **配置:** 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS):** 20V
- **柵源電壓 (VGS):** ±20V
- **柵閾值電壓 (Vth):** 0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):** 6mΩ @ VGS=2.5V, 4.5mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID):** 100A
- **技術(shù):** 溝槽技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理:**
  - 2SK3639-ZK-VB適用于低壓高功率電源管理模塊,如手機(jī)充電器和筆記本電腦電源模塊,提供高效的電源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源供應(yīng)。

2. **電池保護(hù):**
  - 在電池保護(hù)電路中,該MOSFET可用于電池管理系統(tǒng)(BMS)中的過(guò)放和過(guò)充保護(hù)模塊,確保電池安全可靠。

3. **汽車電子:**
  - 在汽車電子領(lǐng)域,2SK3639-ZK-VB可用于汽車電池管理和動(dòng)力控制系統(tǒng),提供高功率的驅(qū)動(dòng)和控制。

4. **電機(jī)驅(qū)動(dòng):**
  - 該器件適用于高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和控制模塊,如工業(yè)電機(jī)和無(wú)人機(jī)電機(jī),提供穩(wěn)定的電源輸出和高效的能源管理。

5. **充電器:**
  - 2SK3639-ZK-VB可用于高功率充電器模塊,如快充充電器和電動(dòng)車充電器,實(shí)現(xiàn)快速而安全的充電。

2SK3639-ZK-VB以其低壓和高功率處理能力,在多個(gè)領(lǐng)域的高功率應(yīng)用中得到廣泛應(yīng)用,為現(xiàn)代電子設(shè)備的高性能和高可靠性提供了重要支持。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    551瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    468瀏覽量