91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

2SK3814-Z-E1-AZ-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 2SK3814-Z-E1-AZ-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

**2SK3814-Z-E1-AZ-VB MOSFET**

2SK3814-Z-E1-AZ-VB 是一款高性能 MOSFET,采用 TO252 封裝。這款 MOSFET 配置為單 N 通道,具有優(yōu)秀的導通特性和低導通電阻。其設計用于提高功率密度和系統(tǒng)效率,適用于各種工業(yè)和商業(yè)應用。

### 二、詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)             | 規(guī)格                             |
|-----------------|----------------------------------|
| **型號**        | 2SK3814-Z-E1-AZ-VB               |
| **封裝**        | TO252                            |
| **配置**        | 單 N 通道                        |
| **VDS**  | 60V                             |
| **VGS**  | ±20V                            |
| **Vth**  | 2.5V                            |
| **RDS(on)** | 13mΩ@VGS=4.5V       |
| **RDS(on)** | 10mΩ@VGS=10V        |
| **ID**    | 58A                             |
| **技術(shù)**        | Trench                           |

### 三、適用領(lǐng)域和模塊

**電源模塊:**
2SK3814-Z-E1-AZ-VB 具有良好的導通特性和低導通電阻,非常適合用于各種類型的電源模塊,包括開關(guān)電源和線性電源。其高耐壓和高電流能力使其能夠在這些模塊中提供高效率和穩(wěn)定的性能。

**電機控制器:**
在工業(yè)和汽車應用中,電機控制器需要高性能的功率器件來實現(xiàn)精確的電機控制。2SK3814-Z-E1-AZ-VB 可以作為電機控制器中的關(guān)鍵元件,提供高效能和可靠性,確保電機的穩(wěn)定運行。

**LED 照明:**
在 LED 照明系統(tǒng)中,2SK3814-Z-E1-AZ-VB 可以用作 LED 驅(qū)動器的開關(guān)元件,幫助提高照明系統(tǒng)的效率和亮度控制。其低導通電阻和高電流能力使其成為 LED 照明領(lǐng)域的理想選擇。

**電池管理系統(tǒng):**
電動汽車和便攜式電子設備的電池管理系統(tǒng)需要高效能的功率器件來確保電池的安全充放電。2SK3814-Z-E1-AZ-VB 可以幫助提高電池管理系統(tǒng)的效率和性能,延長電池壽命。

這款 MOSFET 的設計特點使其在各種領(lǐng)域和模塊中都能發(fā)揮重要作用,提供高性能和可靠性。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領(lǐng)域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    554瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    473瀏覽量