91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

2SK3870-01-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 2SK3870-01-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220封裝
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、2SK3870-01-VB 產(chǎn)品簡介

2SK3870-01-VB 是一款高性能的單 N 通道 MOSFET,采用 TO220 封裝。該器件具有高達 200V 的漏源電壓(VDS)和 50A 的連續(xù)漏極電流(ID)。憑借其 Trench 技術(shù),具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的優(yōu)勢,適用于各種高壓、高電流應(yīng)用場合。

### 二、2SK3870-01-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO220
- **配置**: 單 N 通道
- **漏源電壓(VDS)**: 200V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 46mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流(ID)**: 50A
- **技術(shù)**: Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

**應(yīng)用領(lǐng)域:**

1. **電源管理系統(tǒng)**:
  2SK3870-01-VB 可用于開關(guān)電源(SMPS)、DC-DC 變換器和線性穩(wěn)壓器等高性能電源管理系統(tǒng)。其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻特性使其能夠在高壓和高電流環(huán)境中提供可靠的電源轉(zhuǎn)換和分配。

2. **工業(yè)控制**:
  在工業(yè)控制設(shè)備中,該 MOSFET 可用于各種高壓、高電流控制電路,如電動工具、焊接設(shè)備和機械控制系統(tǒng)。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高設(shè)備的響應(yīng)速度和效率。

3. **電動汽車**:
  在電動汽車中,2SK3870-01-VB 可用于電動汽車的電機驅(qū)動和電池管理系統(tǒng)(BMS)。其高漏源電壓和高電流承載能力使其成為電動汽車系統(tǒng)中關(guān)鍵的組件,確保系統(tǒng)的高效性和可靠性。

4. **UPS(不間斷電源)**:
  在 UPS 系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于電池逆變器和充電控制器。其高電壓承載能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高 UPS 系統(tǒng)的性能和可靠性,確保在停電時提供持續(xù)的電力支持。

5. **LED 照明**:
  適用于需要高功率 LED 驅(qū)動的應(yīng)用,如戶外照明和工業(yè)照明。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力有助于提高 LED 燈的亮度和效率。

通過上述應(yīng)用領(lǐng)域和模塊實例,2SK3870-01-VB 展現(xiàn)了其在各種高壓、高電流應(yīng)用中的廣泛適用性,是電力電子系統(tǒng)中的重要組成部分。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    552瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    469瀏覽量