--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220F封裝
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、2SK3932-01MR-VB 產(chǎn)品簡介
2SK3932-01MR-VB 是一款高性能的單 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝。該器件具有高達(dá) 650V 的漏源電壓(VDS)和 10A 的連續(xù)漏極電流(ID)。其閾值電壓(Vth)為 3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 830mΩ @ VGS = 10V。采用 Plannar 技術(shù),提供可靠的性能和穩(wěn)定性,適用于各種高壓應(yīng)用場合。
### 二、2SK3932-01MR-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單 N 通道
- **漏源電壓(VDS)**: 650V
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 830mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流(ID)**: 10A
- **技術(shù)**: Plannar

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例
**應(yīng)用領(lǐng)域:**
1. **電源開關(guān)**:
2SK3932-01MR-VB 可用于各種電源開關(guān)應(yīng)用,如開關(guān)電源(SMPS)和直流電源。其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻特性使其能夠在高壓和高電流環(huán)境中提供可靠的電源轉(zhuǎn)換和分配。
2. **照明系統(tǒng)**:
適用于需要高壓和高功率的照明系統(tǒng),如室外照明和工業(yè)照明。其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻有助于提高 LED 燈的亮度和效率。
3. **電動(dòng)汽車充電樁**:
在電動(dòng)汽車充電樁中,該 MOSFET 可用于功率開關(guān)和電池管理系統(tǒng)(BMS)。其高電流承載能力和高溫特性使其在高功率充電環(huán)境中具有良好的穩(wěn)定性和可靠性。
4. **工業(yè)控制**:
在工業(yè)控制設(shè)備中,該 MOSFET 可用于高壓和高電流的控制電路,如電動(dòng)工具、焊接設(shè)備和機(jī)械控制系統(tǒng)。其高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻有助于提高設(shè)備的響應(yīng)速度和效率。
5. **太陽能逆變器**:
適用于太陽能逆變器中的功率開關(guān)和控制電路。其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻有助于提高逆變器的效率和性能。
通過以上應(yīng)用領(lǐng)域和模塊實(shí)例,2SK3932-01MR-VB 展現(xiàn)了其在各種高壓、高電流應(yīng)用中的廣泛適用性,是電力電子系統(tǒng)中的重要組成部分。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛