--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220F封裝
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡介
**2SK3986-01MR-VB MOSFET**
2SK3986-01MR-VB 是一款高性能 MOSFET,采用 TO220F 封裝。這款 MOSFET 配置為單 N 通道,耐壓達(dá)到650V,適用于中壓應(yīng)用。其設(shè)計(jì)旨在提高系統(tǒng)效率和可靠性,適用于各種工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 規(guī)格 |
|-----------------|----------------------------------|
| **型號(hào)** | 2SK3986-01MR-VB |
| **封裝** | TO220F |
| **配置** | 單 N 通道 |
| **VDS** | 650V |
| **VGS** | ±30V |
| **Vth** | 3.5V |
| **RDS(on)** | 2560mΩ@VGS=10V |
| **ID** | 4A |
| **技術(shù)** | Plannar |

### 三、適用領(lǐng)域和模塊
**電源模塊:**
由于2SK3986-01MR-VB 具有較高的耐壓能力,適用于中壓電源模塊,包括工業(yè)電源和UPS系統(tǒng)。其設(shè)計(jì)旨在提高系統(tǒng)效率和可靠性,在這些模塊中能夠提供出色的性能。
**照明應(yīng)用:**
中壓 MOSFET 在 LED 照明驅(qū)動(dòng)器中有廣泛的應(yīng)用。2SK3986-01MR-VB 的特性使其能夠在高效率的照明系統(tǒng)中發(fā)揮作用,提供穩(wěn)定的電流控制。
**工業(yè)控制系統(tǒng):**
工業(yè)控制系統(tǒng)需要高效能和可靠性的元件來控制各種工業(yè)設(shè)備和機(jī)器。2SK3986-01MR-VB 可以作為這些系統(tǒng)中的關(guān)鍵元件,提供穩(wěn)定的電路保護(hù)和高性能的功率控制。
**電動(dòng)工具:**
在電動(dòng)工具中,需要高性能的功率器件來提供驅(qū)動(dòng)力。2SK3986-01MR-VB 的高耐壓和適度的電流能力使其成為電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)器的理想選擇。
這款 MOSFET 的設(shè)計(jì)特點(diǎn)使其在各種領(lǐng)域和模塊中都能發(fā)揮重要作用,提供高性能和可靠性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛