--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220封裝
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**型號:2SK806TK4A60-VB**
2SK806TK4A60-VB 是一款高壓單N溝道功率MOSFET,適用于高壓開關(guān)電源和電源因應(yīng)用。該器件封裝在TO-220封裝中,具有良好的熱性能和機械強度,適用于各種工業(yè)和電力電子應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO-220
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2200mΩ@VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)類型**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
**電源開關(guān)電路**: 2SK806TK4A60-VB 可以用于高壓開關(guān)電源中的開關(guān)管,用于轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)電源。其高壓和高阻抗特性使其特別適用于工業(yè)和電力電子領(lǐng)域。
**電力因應(yīng)用**: 該器件適用于各種電力因應(yīng)用,如逆變器、變頻器和UPS系統(tǒng)。其高壓和高電流承載能力能夠滿足這些應(yīng)用對功率器件的要求。
**照明系統(tǒng)**: 在需要高壓開關(guān)控制的LED照明系統(tǒng)中,2SK806TK4A60-VB 可以用作開關(guān)元件,提供穩(wěn)定的電流和亮度控制。
**電動汽車充電樁**: 該器件適用于電動汽車充電樁中的功率開關(guān)電路,用于控制電流和電壓,確保安全和高效的充電。
**太陽能逆變器**: 在太陽能電池板系統(tǒng)中,2SK806TK4A60-VB 可以用作逆變器中的關(guān)鍵元件,將太陽能轉(zhuǎn)換為可用的交流電能。
**工業(yè)自動化設(shè)備**: 該器件適用于各種工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理和開關(guān)控制電路,提供可靠的電源轉(zhuǎn)換和控制功能。
以上是一些2SK806TK4A60-VB 在不同領(lǐng)域和模塊中的應(yīng)用示例,顯示了其高壓、高電流和可靠性的特點。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12