91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

30NM60N-VB TO247一款Single-N溝道TO247的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 30NM60N-VB TO247
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO247
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

**30NM60N-VB**是一款由VBsemi生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET,采用TO247封裝。它適用于各種高壓高電流電力管理應(yīng)用,特別是在需要高開關(guān)頻率和低導(dǎo)通電阻的場合。該MOSFET具有650V的漏源電壓(VDS)和±30V的柵源電壓(VGS),并采用SJ_Multi-EPI技術(shù)制造,具有優(yōu)異的高壓性能和高電流處理能力。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:30NM60N-VB
- **封裝**:TO247
- **類型**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:650V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:75mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:47A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI

### 三、適用領(lǐng)域和模塊

**30NM60N-VB** 適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **工業(yè)高壓控制**:
  - **高壓控制電路**:在工業(yè)高壓控制系統(tǒng)中,30NM60N-VB用于控制電路,可以提高系統(tǒng)的可靠性和響應(yīng)速度。
  - **高壓電源模塊**:在工業(yè)高壓電源模塊中,30NM60N-VB能夠提供高效的電流傳輸和穩(wěn)定的電源輸出。

2. **電力傳輸和變換**:
  - **電力傳輸設(shè)備**:在電力傳輸設(shè)備中,30NM60N-VB用于控制和管理電力傳輸過程,確保電力傳輸?shù)姆€(wěn)定和高效。
  - **變壓器控制**:在變壓器控制系統(tǒng)中,30NM60N-VB可以用于控制變壓器的輸出,實現(xiàn)電壓和電流的調(diào)節(jié)。

3. **太陽能逆變器**:
  - **太陽能逆變器**:在太陽能逆變器中,30NM60N-VB用于轉(zhuǎn)換太陽能電池板的直流電能為交流電能,提供給電網(wǎng)使用。

通過這些應(yīng)用實例,30NM60N-VB展示了其在高壓高電流電力管理領(lǐng)域中的廣泛應(yīng)用潛力,能夠滿足各種不同環(huán)境下的需求。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    567瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    483瀏覽量