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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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318F-VB一款Dual-P+P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 318F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6
  • 溝道 Dual-P+P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 318F-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

**型號:** 318F-VB  
**封裝:** SOT23-6  
**配置:** 雙P溝道(Dual-P+P-Channel)  
**技術(shù):** Trench(溝槽型)

318F-VB 是一款雙P溝道(Dual-P+P-Channel)MOSFET,適用于低電壓負(fù)載開關(guān)和功率管理應(yīng)用。其具有負(fù)電壓漏源電壓和低導(dǎo)通電阻特性,適合用于各種便攜式設(shè)備和電池供電系統(tǒng)中。SOT23-6封裝提供了小巧的封裝尺寸和良好的散熱性能,適用于緊湊型電子設(shè)備。

### 318F-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)

- **VDS (漏源電壓):** -20V
- **VGS (柵源電壓):** ±12V
- **Vth (閾值電壓):** -0.6V
- **RDS(ON) (導(dǎo)通電阻):** 
 - 100mΩ @ VGS = 2.5V
 - 75mΩ @ VGS = 4.5V
- **ID (漏極電流):** -4A
- **封裝類型:** SOT23-6
- **技術(shù):** Trench

### 318F-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

#### 應(yīng)用領(lǐng)域

1. **便攜式設(shè)備:** 
  318F-VB 可以用于各種便攜式設(shè)備中,如智能手機、平板電腦和便攜式音頻設(shè)備。其小封裝尺寸和低功率特性使其成為這些設(shè)備中的理想選擇。

2. **電池供電系統(tǒng):** 
  在電池供電系統(tǒng)中,318F-VB 可以用作電池管理和電池保護器件,確保電池充放電過程的安全和穩(wěn)定。

3. **低功率負(fù)載開關(guān):** 
  318F-VB 可以用于各種低電壓負(fù)載開關(guān)中,如LED照明控制、低功率馬達(dá)控制等。其負(fù)電壓漏源電壓和低導(dǎo)通電阻使其成為這些系統(tǒng)中的理想選擇。

#### 模塊示例

1. **便攜式充電器模塊:** 
  318F-VB 可以用于便攜式充電器模塊中,確保充電器的高效率和穩(wěn)定性能。

2. **電池充放電控制模塊:** 
  在需要對電池進行精確充放電控制的應(yīng)用中,318F-VB 可以用作控制器件,確保電池的安全和穩(wěn)定運行。

3. **LED照明控制模塊:** 
  對于需要精確控制LED照明亮度的應(yīng)用,318F-VB 可以用作控制器件,確保LED長時間穩(wěn)定工作。

綜上所述,318F-VB 作為一款低電壓雙P溝道MOSFET,在各種便攜式設(shè)備和低功率負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中都能發(fā)揮重要作用,特別適用于需要負(fù)電壓處理能力和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用。

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