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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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3LP01M-VB一款Single-P溝道SC70-3的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 3LP01M-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SC70-3封裝
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介詳

**3LP01M-VB**是一款由VBsemi公司生產(chǎn)的單P溝道MOSFET,采用SC70-3封裝。該器件具有較低的VDS和VGS值,適用于各種低功率應(yīng)用。憑借其Trench技術(shù),該MOSFET在導(dǎo)通電阻和電流處理能力方面表現(xiàn)出色,特別適用于需要低功率和低壓降的電路設(shè)計(jì)中。

### 詳細(xì)的參數(shù)說明

| 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | 備注 |
| ---- | ---- | ---- | ---- |
| 封裝類型 | SC70-3 | - | 小型封裝 |
| 配置 | 單P溝道 | - | - |
| 漏源電壓 (VDS) | -20 | V | 最大值 |
| 柵源電壓 (VGS) | ±12 | V | 最大值 |
| 閾值電壓 (Vth) | -0.6 | V | 典型值 |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=4.5V | 80 | mΩ | 最大值 |
| 漏極電流 (ID) | -3.1 | A | 最大值 |
| 技術(shù) | Trench | - | - |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

**3LP01M-VB** MOSFET的應(yīng)用范圍廣泛,特別適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **移動設(shè)備**
  - **智能手機(jī)**:由于其小封裝和低功耗特性,3LP01M-VB可用于智能手機(jī)中的電源管理模塊和信號控制電路中。
  - **平板電腦**:在平板電腦中,該器件可用于節(jié)能管理和信號控制電路中,提高設(shè)備的效率和電池壽命。

2. **便攜式電子產(chǎn)品**
  - **便攜式音頻設(shè)備**:在便攜式音頻設(shè)備中,3LP01M-VB可用于功率放大器和電源管理模塊中,提供高質(zhì)量的音頻輸出和低功耗。
  - **便攜式游戲機(jī)**:在便攜式游戲機(jī)中,該器件可用于電源管理和信號控制電路中,提高設(shè)備的響應(yīng)速度和效率。

3. **醫(yī)療設(shè)備**
  - **便攜式醫(yī)療設(shè)備**:在便攜式醫(yī)療設(shè)備中,3LP01M-VB可用于電源管理和信號控制電路中,提高設(shè)備的便攜性和可靠性。
  - **醫(yī)療監(jiān)測設(shè)備**:在醫(yī)療監(jiān)測設(shè)備中,該器件可用于數(shù)據(jù)處理和信號控制電路中,提供準(zhǔn)確的監(jiān)測和控制功能。

總的來說,3LP01M-VB憑借其中低功率和Trench技術(shù)的特性,適用于各種需要低功率和高可靠性的電子產(chǎn)品和系統(tǒng)中。

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