91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

3N06L13-VB TO263一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 3N06L13-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263封裝
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、3N06L13-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

3N06L13-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO263封裝。該產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,特別適用于需要高效開關(guān)和高電流處理能力的應(yīng)用。3N06L13-VB采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供優(yōu)異的性能和可靠性。

### 二、3N06L13-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)               | 數(shù)值                     |
|--------------------|------------------------|
| 封裝               | TO263                  |
| 配置               | 單N溝道                |
| 漏源極電壓 (VDS)   | 60V                    |
| 柵源極電壓 (VGS)   | ±20V                   |
| 閾值電壓 (Vth)     | 1.7V                   |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 12mΩ @ VGS=4.5V        |
|                    | 11mΩ @ VGS=10V         |
| 漏極電流 (ID)      | 75A                    |
| 技術(shù)               | 溝槽技術(shù) (Trench)     |

### 三、3N06L13-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理模塊**:
  3N06L13-VB在電源管理模塊中表現(xiàn)出色,尤其適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān)。這些模塊要求快速開關(guān)能力和低導(dǎo)通電阻,以提高轉(zhuǎn)換效率并減少功耗。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**:
  在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,3N06L13-VB可以處理高電流負(fù)載,適用于各種電動(dòng)工具、電動(dòng)車輛以及工業(yè)電機(jī)控制。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻有助于實(shí)現(xiàn)高效和穩(wěn)定的電機(jī)操作。

3. **自動(dòng)化設(shè)備**:
  自動(dòng)化系統(tǒng)中,如機(jī)器人和工廠自動(dòng)化設(shè)備,通常需要高性能的MOSFET來進(jìn)行精確的控制和快速響應(yīng)。3N06L13-VB的高效開關(guān)性能使其在這些應(yīng)用中成為理想選擇。

4. **消費(fèi)電子**:
  在消費(fèi)電子領(lǐng)域,如LED照明、音響系統(tǒng)和電池管理系統(tǒng),3N06L13-VB提供了高效的電源管理和控制功能。這些設(shè)備需要可靠的開關(guān)器件來保證設(shè)備的性能和壽命。

通過以上應(yīng)用示例,可以看出3N06L13-VB MOSFET在多個(gè)領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)和優(yōu)異的電氣特性,使其成為各種高性能電子設(shè)備的理想選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    571瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    485瀏覽量