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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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3N70L-TN3-R-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 3N70L-TN3-R-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 3N70L-TN3-R-VB TO252 MOSFET 產(chǎn)品簡介

3N70L-TN3-R-VB 是一款高性能的單 N 溝道場效應(yīng)管,專為各種電子應(yīng)用中的高效能管理而設(shè)計(jì)。采用 TO-252 封裝,該 MOSFET 具有卓越的熱性能和可靠性,適用于各種嚴(yán)苛的環(huán)境。具有 700V 的漏極-源極電壓(VDS)和 ±30V 的柵極-源極電壓(VGS),在不同工作條件下提供穩(wěn)健的性能。該器件具有低的柵極閾值電壓(Vth)為 3.5V,確保在低電壓電路中易于使用。3N70L-TN3-R-VB 采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù),提供低導(dǎo)通電阻,增強(qiáng)能效并減少熱量產(chǎn)生。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**:TO-252
- **配置**:單 N 溝道
- **VDS(漏極-源極電壓)**:700V
- **VGS(柵極-源極電壓)**:±30V
- **Vth(柵極閾值電壓)**:3.5V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:2400mΩ @ VGS = 10V
- **ID(持續(xù)漏極電流)**:2A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用示例

1. **電源開關(guān)**: 3N70L-TN3-R-VB 可以用于開關(guān)電源和變換器中的功率開關(guān),有效地控制和轉(zhuǎn)換電能,提高系統(tǒng)效率。

2. **照明系統(tǒng)**: 在 LED 照明系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以用作驅(qū)動器,控制 LED 的亮度和工作模式,提供高效的照明解決方案。

3. **電動汽車充電器**: 由于其高耐壓和低導(dǎo)通電阻,3N70L-TN3-R-VB 適用于電動汽車充電器中的功率開關(guān),實(shí)現(xiàn)高效能的電能轉(zhuǎn)換。

4. **工業(yè)電機(jī)控制**: 在工業(yè)領(lǐng)域,該 MOSFET 可以用于控制各種類型的電機(jī),提高工業(yè)設(shè)備的效率和可靠性。

5. **UPS 系統(tǒng)**: 在不間斷電源系統(tǒng)中,3N70L-TN3-R-VB 可以用作功率開關(guān),確保在停電時(shí)提供可靠的電能備份。

通過在這些應(yīng)用中使用 3N70L-TN3-R-VB MOSFET,設(shè)計(jì)者可以實(shí)現(xiàn)改進(jìn)的性能、能效和可靠性,確保其電子系統(tǒng)的最佳運(yùn)行。

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