--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 3PN1005-VB TO263 MOSFET 產(chǎn)品簡介
3PN1005-VB 是一款高性能的單 N 溝道場效應(yīng)管,專為各種電子應(yīng)用中的高效能管理而設(shè)計。采用 TO-263 封裝,具有優(yōu)秀的熱性能和可靠性,適用于各種嚴(yán)苛的環(huán)境。具有 100V 的漏極-源極電壓(VDS)和 ±20V 的柵極-源極電壓(VGS),在不同工作條件下提供穩(wěn)健的性能。該器件具有低的柵極閾值電壓(Vth)為 3V,確保在低電壓電路中易于使用。3PN1005-VB 采用 Trench 技術(shù),提供低導(dǎo)通電阻,增強(qiáng)能效并減少熱量產(chǎn)生。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**:TO-263
- **配置**:單 N 溝道
- **VDS(漏極-源極電壓)**:100V
- **VGS(柵極-源極電壓)**:±20V
- **Vth(柵極閾值電壓)**:3V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:4mΩ @ VGS = 10V
- **ID(持續(xù)漏極電流)**:140A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用示例
1. **電源管理**: 3PN1005-VB 可以廣泛應(yīng)用于各種功率管理電路中,如開關(guān)電源和穩(wěn)壓器,提高電路效率并減小尺寸。
2. **電機(jī)驅(qū)動**: 在電機(jī)驅(qū)動電路中,該 MOSFET 可以用作電機(jī)的控制開關(guān),實(shí)現(xiàn)高效能的電動機(jī)控制。
3. **汽車電子**: 由于其高電壓和電流特性,適用于汽車電子領(lǐng)域,如電動汽車充電器、電動汽車控制器等。
4. **工業(yè)控制**: 在工業(yè)控制系統(tǒng)中,3PN1005-VB 可以用于各種工業(yè)自動化設(shè)備中,提高系統(tǒng)的可靠性和效率。
5. **醫(yī)療設(shè)備**: 由于其高性能和可靠性,可用于各種醫(yī)療設(shè)備中,如醫(yī)用電源、醫(yī)療成像設(shè)備等。
通過在這些領(lǐng)域中使用 3PN1005-VB MOSFET,設(shè)計者可以實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路設(shè)計,滿足不同應(yīng)用的需求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它